GaN器件
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GaN器件 热门资料
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GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且...
2022-11-19
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基于GaN器件射频功率放大电路的设计
本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配...
2022-06-20
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GaN基紫外图像传感器研究
本资源深入探讨了基于GaN材料的紫外图像传感器技术，采用pin型背面入光式结构设计，成功实现了64×64分辨率的紫外探测器阵列样品开发。该研究不仅为高灵敏度、低噪声的紫外成像提供了新的解决方案，而且对于推动环境监测、生物医学以及安全检测等领...
2025-11-25
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GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For abou...
2020-06-07
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半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求...
2022-01-03
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