GaN+MMIC 技术资料

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GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳…

宽带数控衰减器是微波T/R系统中的核心电路。体积小、重量轻、可靠性高等优点使得微波单片数控衰减器已经广泛应用在军民各个领域。本文介绍了宽带数控衰减器的工作原理、电路设计以及测试技术。本数控衰减器芯片采用PHEMT材料和MMIC工艺，电路和电磁场仿真相结合的设计…

基于GaN材料的LED表面微纳结构设计，实现高效偏振出光特性。采用先进纳米加工技术，提升光提取效率与方向性，优化显示器件性能。

·摘要： 为解决汽车追尾相撞问题,提出了一种DSP+MMIC架构的便携式车载雷达系统的设计方案.简要介绍了车载雷达的工作原理,并以TMS320VC5402 和 DZ9861为例,结合其软硬件实现,验证了此设计的可行性和实用性,效果较好.

本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱…

本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz…

该文档为基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………

·期刊论文：64×64元GaN基紫外图像传感器的设计

半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状…