📚 GAN技术资料

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对AlGaN/GaN HEMT器件进行高温DC实验仿真，对器件的设计具有一定的指导意义。...

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该文档为硅基GaN功率半导体技术讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………...

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GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说，这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此，目前GaN技术还是没有完全取代LD...

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该文档为硅基GaN功率半导体技术总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………...

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本资源深入探讨了基于GaN材料的紫外图像传感器技术，采用pin型背面入光式结构设计，成功实现了64×64分辨率的紫外探测器阵列样品开发。该研究不仅为高灵敏度、低噪声的紫外成像提供了新的解决方案，而且对...

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GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对...

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本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主...

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