图像处理技术应用越来越广泛，特别是工业检测领域。然而，图像处理技术应用的基础是图像的获取，为了更加灵活地设计各种应用产品，本课题研究基于FPGA的面阵 CCD驱动传输电路设计，利用该电路能够获取高质量、高分辨率的图像，为后续的图像处理技术应用打下基础。本文首先介绍了研究意义、CCD图像传感器的发展以及FPGA的产生与发展，接着提出了面阵CCD成像系统总体设计方案，然后针对关键电路的设计进行详尽的分析和说明，这些电路包括时序发生电路、存储器控制电路、USB接口电路以及电源调理电路。其中时序发生电路主要用于产生CCD正常工作所需的各种时序信号以及A/D变换芯片AD9824 所需的工作时序，这些时序都是由FPGA产生的，文中给出了FPGA逻辑设计的基本过程以及仿真波形。本系统采用SDRAM缓存图像信号，为了完成SDRAM的写入、读出以及定时刷新，利用FPGA生成存储器控制电路。系统采用USB接口与计算机通信，因此FPGA 中设计了相应逻辑电路与CY7C68013A USB接口芯片实现信号握手及数据通信，进而与 PC机通信。为了保证各个芯片正常工作，设计电源调理电路实现将输入5V电源转换成多种电压向各个芯片供电。经过初步调试，并根据仿真结果判断驱动传输电路基本达到设计要求。关键词：FPGA，CCD，A/D变换，SDRAM，USB，驱动时序
上传时间： 2013-04-24
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· SmartARM2400是广州致远电子有限公司精心设计的一款集教学、竞赛、工控开发于一身的开发套件，套件以NXP公司的LPC2478为核心，该芯片具有EMC（外部总线接口），可支持核心板上集成的32M SDRAM和2MB NOR Flash，并提供4路串口、1路IrDA接口、1路10/100M以太网接口、2个CAN-bus接口、1路I2S接口、1路USB OTG接口、1路USB Hos
上传时间： 2013-06-22
上传用户：zhengxueliang
·摘要： DDB SDRAM使用双倍数据速率结构,它能获得比SDRAM更高的性能.DDR SDRAM需要特定的DDB控制器才能完成与DSP、FPGA之间的通信.由于Xilinx VirtexTM-4系列FPGA具备ChipSync源同步技术等优势,本设计采用它来实现DDRSDRAM控制器.该DDR SDRAM控制器采用直接时钟数据捕获技术,本文将重点阐述该技术.
标签： Xilinx_FPGA DDR_SDRAM 控制器
上传时间： 2013-05-24
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· SmartARM2400是广州致远电子有限公司精心设计的一款集教学、竞赛、工控开发于一身的开发套件，套件以NXP公司的LPC2478为核心，该芯片具有EMC（外部总线接口），可支持核心板上集成的32M SDRAM和2MB NOR Flash，并提供4路串口、1路IrDA接口、1路10/100M以太网接口、2个CAN-bus接口、1路I2S接口、1路USB OTG接口、1路USB Hos
上传时间： 2013-07-27
上传用户：evil
DNE是USB下载工具，可以把bin文件下载到开发板的SDRAM中，来测试开发板能否正常运行。
标签： DNW
上传时间： 2013-04-24
上传用户：xinyuzhiqiwuwu
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
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SRAM,SDRAM
上传时间： 2013-11-10
上传用户：黄蛋的蛋黄
BIT_SELFREFRESH EQU (1<<22) ;定义SDRAM自刷新标志位 16 17 ;Pre-defined constants 预定义6种工作模式 18 USERMODE EQU 0x10 ;用户模式 19 FIQMODE EQU 0x11 ;快速中断模式 20 IRQMODE EQU 0x12 ;中断模式 21 SVCMODE EQU 0x13 ;监管模式 22 ABORTMODE EQU 0x17 ;异常中断模式 23 UNDEFMODE EQU 0x1b ;未定义模式 24 25 MODEMASK EQU 0x1f ;模式掩码 26 NOINT EQU 0xc0 ;取消中断 27 28 ;The location of stacks;设置6种工作模式的堆栈的起始地址 29 ;在option.inc中定义了_STACK_BASEADDRESS EQU 0x33ff8000 30 UserStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x3800) ;0x33ff4800 ~ 31 SVCStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x2800) ;0x33ff5800 ~ 32 UndefStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x2400) ;0x33ff5c00 ~ 33 AbortStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x2000) ;0x33ff6000 ~ 34 IRQStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x1000) ;0x33ff7000 ~ 35 FIQStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x0) ;0x33ff8000 ~
上传时间： 2013-10-07
上传用户：m62383408
单片机的频率越来越高，RAM的访问速度也来也快，但单片机系统的效率并不一定成比例的提高。 目前，使用的主流单片机有80386EX(50MHz，外部地址/数据总线16位)、MPC860T(66MHz外部地址/数据总线32位)以及DS80C32(25MHz，外部地址/数据总线8位)使用的SDRAM有HY57系列、K416系列(访问速度100MHz133MHz)；使用的SRAM如IDT71024、IDT7256(50MHz)；使用的Flash有AT29C512、SST39VF040、AT29C010(8MHz或15MHz)等。可见SDRAMS，RAM的速度和单片机是匹配的甚至比单片机的速度更快一点，不需要单片机插入等待状态。而Flash的访问频率则比单片机慢2~6倍，单片机往往要通过插入多个等待状态来和它相匹配，况且Flash多为8位，而当前单片机多为16，32位更多的降低了单片机的工作性能。
上传时间： 2013-11-09
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DevKit8000评估套件简介及应用 OMAP3530应用处理器集成600-MHz ARM Cortex-A8核及430-MHz TMS320C64x DSP核 板载128MByte DDR SDRAM，32bit 板载128MByte NAND Flash
上传时间： 2014-12-27
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