1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SDRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SDRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SDRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SDRAM X4/8 Ballout using MO-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using MO-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SDRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 Mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SDRAM Command Description and Operation ............................................................................................. 244.1 Command Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off Mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off Mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling Mode Exit .........................................................................................................................34
标签： DDR4
上传时间： 2022-01-09
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核心板说明（1）DDR模板：RK3288-LPDDR3P232SD6-V12-20140623HXS（2）适用的平台：RK3288；（3）支持的DDR类型：LPDDR3_2PCS*32BIT（4）最大支持容量：4G（2PCS*32BIT）；（5）板层：6 Layer；（6）贴片方式：DDR器件单面贴,其它器件双面贴；（7）面积：35mm*35mm；
上传时间： 2022-02-02
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感谢您使用 Altera DE教学开发板。这块板子的着眼于为在数字逻辑，计算机组织和FPGA方面的学习提供一个理想的工具。它在硬件和CAD工具上应用先进的技术为学生和专业人员展示了一个宽广的主题。该板具有多种特点，非常适合各大学课程在实验室环境下的一系列设计项目和非常复杂尖端的数字系统的开发和应用。Altera公司为DE2板提供了套支持文件，例如学习指导，现成的教学实验练习和丰富的插图说明DE2的特点DE2板是以 Cyclonell2C35FPGA为特点的672针引脚的包装。板上所有重要的部件都与板上的芯片相连，使用户能够控制板上各种的操作DE2板包括了很多开关（兼有拨动开关和按键），发光二极管和七段数码管。在更多进一步的实验中还用到了SRAM，SDRAM Fash以及16×驸字符液晶。需要进行处理器和O接口试验时，可以简单的用 Altera Niosll处理器和象RS-232和PS/2标准接口。进行涉及音频和视频的实验时，也有标准MC、line-in video-in（TV Decoder）和VGA（10-bit dac），这些特点都能够被用来制作CD质量的音频应用程序和专业的视频图象。为了能够设计更强大的项目，DE2还提供了USB20接口（包括主、从USB），10/100M自适应以太网，红外（lRDA）接口，以及SD卡接口。最后，可以通过两排扩展O口与其它用户自定义的板子相连。
标签： altera
上传时间： 2022-04-01
上传用户：bluedrops
目前cPU+ Memory等系统集成的多芯片系统级封装已经成为3DSiP（3 Dimension System in Package，三维系统级封装）的主流，非常具有代表性和市场前景，SiP作为将不同种类的元件，通过不同技术，混载于同一封装内的一种系统集成封装形式，不仅可搭载不同类型的芯片，还可以实现系统的功能。然而，其封装具有更高密度和更大的发热密度和热阻，对封装技术具有更大的挑战。因此，对SiP封装的工艺流程和SiP封装中的湿热分布及它们对可靠性影响的研究有着十分重要的意义本课题是在数字电视（DTV）接收端子系统模块设计的基础上对CPU和DDR芯片进行芯片堆叠的SiP封装。封装形式选择了适用于小型化的BGA封装，结构上采用CPU和DDR两芯片堆叠的3D结构，以引线键合的方式为互连，实现小型化系统级封装。本文研究该SP封装中芯片粘贴工艺及其可靠性，利用不导电胶将CPU和DDR芯片进行了堆叠贴片，分析总结了SiP封装堆叠贴片工艺最为关键的是涂布材料不导电胶的体积和施加在芯片上作用力大小，对制成的样品进行了高温高湿试验，分析湿气对SiP封装的可靠性的影响。论文利用有限元软件 Abaqus对SiP封装进行了建模，模型包括热应力和湿气扩散模型。模拟分析了封装体在温度循环条件下，受到的应力、应变、以及可能出现的失效形式：比较了相同的热载荷条件下，改变塑封料、粘结层的材料属性，如杨氏模量、热膨胀系数以及芯片、粘结层的厚度等对封装体应力应变的影响。并对封装进行了湿气吸附分析，研究了SiP封装在85℃RH85%环境下吸湿5h、17h、55和168h后的相对湿度分布情况，还对SiP封装在湿热环境下可能产生的可靠性问题进行了实验研究。在经过168小时湿气预处理后，封装外部的基板和模塑料基本上达到饱和。模拟结果表明湿应力同样对封装的可靠性会产生重要影响。实验结果也证实了，SiP封装在湿气环境下引入的湿应力对可靠性有着重要影响。论文还利用有限元分析方法对超薄多芯片SiP封装进行了建模，对其在温度循环条件下的应力、应变以及可能的失效形式进行了分析。采用二水平正交试验设计的方法研究四层芯片、四层粘结薄膜、塑封料等9个封装组件的厚度变化对芯片上最大应力的影响，从而找到最主要的影响因子进行优化设计，最终得到更优化的四层芯片叠层SiP封装结构。
标签： sip封装
上传时间： 2022-04-08
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X58主板原理图，富士康设计，ICH10芯片组，三通道DDR
标签： X58主板原理图
上传时间： 2022-05-10
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ZLG-imx6ul核心板开发板底板Altium Designer AD设计硬件原理图文件，IoTIoT -6G 2C 6G2C -L采用 无线 核心板 核心板 和底板 组合的方式，核心和底板 组合的方式，核心和底板 组合的方式，核心和底板 组合的方式，核心和底板 组合的方式，核心和底板 组合的方式，核心采用 NXPNXPNXP基于 ARM CortexARM CortexARM Cortex ARM CortexARM Cortex ARM CortexARM Cortex -A7内核的 内核的 i.MXi.MX i.MX6UL6UL6UL应用处理器， 应用处理器， 应用处理器， 主频最高达 主频最高达 主频最高达 528 MH z，核心板 核心板 配备 256256 MB MB MB DDR 3和 256 MB NAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND Flash NAND Flash；此外核心板 此外核心板 还支 持支持 802.11b/g/n802.11b/g/n 802.11b/g/n 802.11b/g/n 802.11b/g/n协议 WIFIWIFIWIFIWIFI、蓝牙 4.0 通信功能 。主板 提供 8路 UARTUARTUARTUART、1路模拟 I2C、1路 12bit ADC 12bit ADC12bit ADC12bit ADC12bit ADC12bit ADC，支持两通道采样 ，支持两通道采样 ，支持两通道采样 ，支持两通道采样 ，支持两通道采样 、2路 10/100M 10/100M 10/100M以太网接口、 以太网接口、 以太网接口、 以太网接口、 1路 SD 卡电路 卡电路 、1路左右声道 左右声道 左右声道 模拟音频 模拟音频 接口、 接口、 2路 USB HostUSB HostUSB HostUSB HostUSB HostUSB Host 接口 （1路与 USB DeviceUSB Device USB DeviceUSB DeviceUSB DeviceUSB DeviceUSB DeviceUSB Device 共用同一路 共用同一路 USB OTGUSB OTGUSB OTGUSB OTGUSB OTGUSB OTGUSB OTG）、 1路 USB USB USB USB DeviceDevice DeviceDevice 接口， 接口， 可满足数据采集等多种 满足数据采集等多种 满足数据采集等多种 满足数据采集等多种 消费电子和工业控制应用 消费电子和工业控制应用 消费电子和工业控制应用 消费电子和工业控制应用 消费电子和工业控制应用 场合 。
标签： zlg 文件 核心 开发板 底板 altium designer ad 设计 硬件 原理图 imx6ul
上传时间： 2022-05-11
上传用户：fliang
Altera(Intel)_Cyclone_IV_EP4CE15_开发板资料硬件参考设计+逻辑例程Cyclone IV EP4CE15核心板主要特征参数如下所示：➢ 主控FPGA：EP4CE15F23C8N；➢ 主控FPGA外部时钟源频率：50MHz；➢ EP4CE15F23C8N芯片内部自带丰富的Block RAM资源；➢ EP4CE15F23C8N芯片逻辑单元数为15K LE；➢ Cyclone IV EP4CE15板载W25Q064 SPI Flash芯片，8MB字节的存储容量；➢ Cyclone IV EP4CE15板载Winbond 32MB的SDRAM，型号为W9825G6KH-6；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板板载MP2315高效率DC/DC芯片提供FPGA芯片工作的3.3V电源；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板引出了两排64p、2.54mm间距的排座，可以用于外接24Bit的TFT液晶屏、CY7C68013 USB模块、高速ADC采集模块或者CMOS摄像头模块等；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的3路按键用于测试；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的2路LED用于测试；➢ Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的JTAG调试端口，采用双排10p、2.54mm的排针；
上传时间： 2022-05-11
上传用户：zhanglei193
RK3288资料说明： DDR3 方案采用 4x16bit、 2x32bit 等模板； LPDDR2 方案采用 2 x 32bit（168pin）、 1 x 32bit x 2channel（pop216pin）、 1x32bitx 2channel（pop220pin） 等模板； LPDDR3 方案采用 2 x 32bit（178pin）模板 PMIC 方案采用 RT5C620(单节电池)、 ACT8846（双节电池）； Memory 默认为 eMMC Flash，兼容 Nand Flash 及 tSD 的设计； TP 包括 COF 及三种 COB 接法； 显示包括 eDP、单 MIPI、双 MIPI、 LVDS 四种兼容设计； 3G 包括 3G-UNA（DS 7.2Mbps）、 3G-UNA LITE（DS 14.4Mbps） 两种模组兼容； Audio 包括 ES8323（低成本）、 ALC5631、 ALC3224（BT 语音）三种兼容； WIFI 兼容 AP6XXX 各模开发包包含以下几部分资料1、RK3288原厂参考原理图，DSN原始文档。2、RK3288发布原理图修改记录、规格书等3、RK3288原厂参考的DDR模板，包含DSN原理图和pads PCB4、RK3288 PCB库文件总的来说，拿到这份资料之后即可进行RK3288的硬件开发设计，可以画原理图、PCB。
上传时间： 2022-06-12
上传用户：bluedrops
笔者详细的谈论许多在整合里会出现的微妙思路，如：如何把计数器/定时器整合在某个步骤里，从何提升模块解读性和扩展性。此外，在整合篇还有一个重要的讨论，那就是 for，while 和 do ... while 等循环。这些都是一些顺序语言的佼佼者，可是在 Verilog HDL 语言里它们就黯然失色。整合篇所讨论的内容不单是循环而已，整合篇的第二个重点是理想时序和物理时序的整合。说实话，笔者自身也认为要结合“两个时序”是一件苦差事，理想时序是 Verilog的行为，物理时序则是硬件的行为。不过在它们两者之间又有微妙的 “黏糊点”，只要稍微利用一下这个“黏糊点”我们就可以非常轻松的写出符合“两个时序”的模块，但是前提条件是充足了解“理想时序”。整合篇里还有一个重点，那就是“精密控时”。实现“精密控时”最笨的方法是被动式的设计方法，亦即一边仿真，一边估算时钟的控制精度。这显然是非常“传统”而且“古老”的方法，虽然有效但往往就是最费精神和时间的。相反的，主动式是一种讲求在代码上和想象上实现“精密控时”的设计方法。主动式的设计方法是基于“理想时序”“建模技巧”和“仿顺序操作”作为后盾的整合技巧。不说笔者吹牛，如果采用主动式的设计方法驱动 IIC 和 SDRAM 硬件，任何一段代码都是如此合情合理。
标签： verilogl
上传时间： 2022-06-13
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全志（allwinner）A40i的一份参考原理图，电路完整主芯片：全志A40i电源管理：AXP221S内存：两片DDR存储：emmc丰富的外设
标签： 全志a40i
上传时间： 2022-06-15
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