CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由...
CoolMos技术资料
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COOLMOS全面认识
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS&tr...
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普...
新型组合式COOLMOS器件在开关电源中的应用研究
COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片，其突出特点是由其组成的开关电源，在市电电网中工作时，...
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：...
COOLMOS__ICE2A系列的应用研究
由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其优点是：用它做开关电源，无需加散热器，...
600V_CoolMOS优化设计
CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构，首先CoolMOS的结构人手，结合电荷平衡...
你一定需要！2019最新门极驱动选型指南
英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱...