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共 42 篇文章
CMoS 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 42 篇文章，持续更新中。
模拟cmos集成电路设计
拉扎维经典著作，陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\ 单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等
模拟cmos集成电路设计
模拟cmos集成电路设计<span style="white-space:normal;"> ———<span style="white-space:normal;">拉扎维</span></span>
模拟cmos集成电路设计(design of analog
<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&
CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路
采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.c
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
模拟CMOS集成电路设计
模拟CMOS集成电路设计
基于第二代电流传输器的积分器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器（CCII）的电流模式积分器电路，能广泛应用于无线通讯、
编码译码集成电路VD5026 VD5027
<P> VD5026，VD5027是CMOS大规模数字集成电路(见图1)。前者是编码器，后者是译码器。他们组合应用起来构成一个发射—接收数字编译码系统。</P>
MAX17600数据资料
The MAX17600–MAX17605 devices are high-speedMOSFET drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greate
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
模拟集成电路原理与设计
本讲<BR>研究模拟电路的重要性<BR>模拟电路设计的难点<BR>研究AIC的重要性<BR>研究CMOS AIC的重要性<BR>电路设计一般概念<BR>抽象级别<BR>健壮性设计<BR>符号约定
低噪声放大器(LNA)
LNA的功能和指标<BR>二端口网络的噪声系数<BR>Bipolar LNA<BR>MOS LNA<BR>非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声<BR>CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配<BR>参考文献<BR>LNA 的功能和指标<BR>• 第一级有源电路，其噪声、非线性、匹配等性<BR>能对整个接收机至关重要<BR>• 主要指标<BR>– 噪声系数(NF)<BR>取决于系统
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
CMOS版图设计技巧之一
CMOS版图设计技巧之一
LM393中文资料
<span style="color: rgb(51, 51, 51); font-family: Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif, 宋体; font-size: 14px; line-height: 25px; text-align: left; background-color: rgb(247, 253, 255); ">LM393是双电压比较器集
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
拉扎维模拟CMOS集成电路设计(前十章全部课件)
拉扎维的前十章课件，初学者看看
一种带振幅调节的晶体振荡器
<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。<br />
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Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
如何选择正确的CMOS模拟开关
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Abstract: With the large number of analog switches on the market today, there are many performance criteria for a product designer to consider. This application note reviews the basic construct