基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究
采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电
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采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电
资料->【C】嵌入系统->【C3】自动化控制->【2】电机机床->【PWM、变频器】->隔离DC-DC变换器数字PWM控制技术的研究.pdf
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