📚 CMOS输出技术资料

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一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计

利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位...

📅 2013-12-20 👤 niumeng16

LDO 无片外电容瞬态电路设计

高电压输入大电流输出恒流源

为了提高现有路灯的供电效率，开发设计了单灯恒流的供电模式，在每个路灯上安装一个体积很小的的恒流源，以保障给LED灯提供稳定、高效的恒流供电。在恒流源模块中，恒流源芯片HV9910B可以实现了高于70 V的电压的输入，在不同的输入电压下，恒流源芯片工作在恒定关断模式下，控制输出BUCK电路中的开关MO...

📅 2013-11-08 👤 yczrl

高电压输入大电流恒流源

一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...

📅 2014-12-03 👤 88mao

CMOS 高电源抑制工艺基准电压源