CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。 ...
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查看全部8680个资源 »CMOS器件抗静电措施的研究
由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS器件不受损伤。 ...
555时基集成电路简介
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA...
低噪声放大器(LNA)
LNA的功能和指标二端口网络的噪声系数Bipolar LNAMOS LNA非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配参考文献LNA 的功能和指标• 第一级有源电路，其噪声、非线性、匹配等性能对整个接收机至关重要• 主要指标– 噪声系数(NF)取决于...
CMOS闩锁效应
闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路...
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