CMOS电路
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一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源...
2014-12-03
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如何利用有效的LDO为亚微米CMOS负载供电
在当今几乎每一台电子设备中,至少都有一块数字集成电路。诸如便携式手机、超声机械、服务器和工业控制系统之类的各种应用都采用数字集成电路来处理数据。在数字集成电路—如微处理器、DSP、FPGA和ASIC—
2023-11-16
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