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介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-4...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源...
使用0.18um 标准 CMOS 的工艺设计，内嵌ASIX CORE（32 位RISC 内核，兼容ARM720T，带8KB 指令数 据Cache 和全功能MMU），采用冯诺依曼结构
基于标准CMOS工艺的ADC设计与实现，适用于高性能模拟信号采集系统。提供可直接用于生产环境的电路设计代码和验证方案，经过多个项目打磨，具备良好的稳定性和精度表现。
本书共收集了在实际中应用最多和应用最广泛的基准电压源集成电路近80种。书中除介绍它们的主要性能、管脚引线、外形封装、内部原理方框图和典型应用电路以外，还给出了各种各样的实用电路和应用电路拓扑。在对这些基准电压源集成电路进行通用介绍的过程中，...
本书共收集了在实际中应用最多和应用最广泛的基准电压源集成电路近80种。书中除介绍它们的主要性能、管脚引线、外形封装、内部原理方框图和典型应用电路以外，还给出了各种各样的实用电路和应用电路拓扑。在对这些基准电压源集成电路进行通用介绍的过程中，...