一种好的蓄电池充电方法是分级恒流充电! 分析了PWM控制DCDC变换的原理"给出了一种基于IGBT功率器件#单片机控制的新型蓄电池恒流充电系统的设计方法"并对该系统进行了试验"给出了试验结果!
上传时间： 2013-10-21
上传用户：mqien
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
电流瞬时值控制逆变器有多种实现方案．本文从系统稳定性、外特性以及负载适应能力等方面对电感电流反馈滞环电流控制，固定开关频率电感电流反馈控制和电容电流反馈控制进行了对比分析，以综合评估各种控制方案的性能，为方案选择提供依据。理论分析和实验结果表明，在系统稳定条件略为苛刻的情况下，采用固定开关频率的电容电流反馈控制的逆变器具有很好的输出电压波形、很硬的外特性以及良好的非线性负载适应性．是一种较好的电流瞬时值控制技术。
上传时间： 2013-11-19
上传用户：liangliang123
提出采用双级变换电路的方法,研制出一种新型的单相有源逆变蓄电池回馈放电装置,主要介绍了本放电装置中IGBT器件的驱动电路的设计,对从事电力电子技术特别是对从蓄电池放电技术研究的工程技术人员具有较高的参考价值。
上传时间： 2014-03-24
上传用户：laozhanshi111
系统介绍逆变器中IGBT 的驱动与保护技术, 给出了IGBT 对驱动电路的要求, 介绍了三菱公司的IGBT 驱动电路M 57962L 以及IGBT 的过压、过流、过热保护等措施。这些措施实用性强, 保护效果好。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：xz85592677
方波逆变器在输出失真度最小时波形最接近正弦波。采用功率谱分析的方法, 得出了单相方波逆变器谐波失真度最小时的脉宽数值。对于固定脉宽系统, 导通角取21331 rad 时最佳; 对于变脉宽系统, 导通角变化区间两端失真度相等时, 系统的平均失真最小。该结论在光伏电站控制系统电源的设计中得到了应用与验证。
上传时间： 2013-11-29
上传用户：Aeray
对并联谐振逆变器的工作原理(即换流过程) 进行了分析,详细地分析并联逆变器各种情况下的工作状态;通过分析得出逆变器的最佳工作状态,即容性工作状态。对锁相环的结构做了简要分析,并给出其相位模型;在此基础上以CD4046为例介绍锁相环(PLL) 电路参数的计算方法。设计了一种他激重复扫频转自激的逆变器启动电路,大大提高了逆变器启动的成功率。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：busterman
提出了对三相逆变器驱动电路的运行要求和设计方法, 从而保证了器件的可靠运行。关键词三相逆变器驱动电路脉宽调制
上传时间： 2013-11-04
上传用户：liuqy
适用范围本系列正弦波逆变电源主要针对邮电通信系统的特点和要求而设计生产以满足邮电通信等行业对供电高品质、高可靠的要求。本系列正弦波逆变电源主要用于程控交换机后台管理系统，包括监控系统、计费系统、话务系统、分组交换系统。可作为对电源干扰敏感的系统终端计算机电源。也适用于一切需要稳定、可靠、净化、不间断纯正弦波供电的设备。
标签： 逆变电源
上传时间： 2013-11-08
上传用户：凌云御清风
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
