//led.v /*------------------------------------- LED显示模块：led(CLK,AF,ADDR,DATA) 功能： 显示 注意事项： 8位LED 参数： CLK:扫妙时钟输入，推荐1kHz AF:数码管输出，a～h ADDR:数码管选择位数出，0~2 DATA:显示数据输入0~9999 9999 编写人： 黄道斌 编写日期： 2006/07/13 -------------------------------------*/
上传时间： 2015-06-24
上传用户：duoshen1989
EEPROM 24CXX应用程序供参考 对EEPROM数据区读出（当前值=ADDR+WRC_<=0FFH），每进行一次读操作将使ADDR值减一；读出数据后程序将把该数据存入通用寄存器中，开始存放的地址由FSR的值指定（范例为30H），每进行一次读操作将使FSR的值加一；读出规定个数（由寄存器REC_给定，范例值为0FH）的数值后，结束读出，回main
上传时间： 2015-07-04
上传用户：playboys0
写入N字节数据程序 把N个字节数据写入起始地址为ADDR的EEPROM内
上传时间： 2013-12-29
上传用户：zhanditian
void statistics(int signo) unsigned short cal_chksum(unsigned short *ADDR,int len) int pack(int pack_no) void send_packet(void)
标签： int unsigned short statistics
上传时间： 2014-09-08
上传用户：liansi
将数据data写入ADDR所指定的pci单元，DSP芯片TMS320VC33控制的汇编源代码。请使用的同时交上笔者的名字《张庆》，谢谢！
上传时间： 2014-12-02
上传用户：rocwangdp
时钟模块DS1307驱动I2C uchar Read_DS1307(uchar ADDR) void Write_DS1307_Byte(uchar byte) void Write_DS1307(uchar ADDR,uchar dat) void rtc_get(void) void rtc_set(void)
上传时间： 2016-03-17
上传用户：zm7516678
vhdl ADDR
上传时间： 2016-04-22
上传用户：han_zh
ip ADDR discription , and the ip ADDR how to located.
标签： ADDR discription located ip
上传时间： 2016-06-27
上传用户：hustfanenze
#include<reg51.h>/*************************ds1302与at89s52引脚连接********************/sbit T_RST=P3^5; sbit T_CLK=P3^6; sbit T_IO=P3^7; sbit ACC0=ACC^0;sbit ACC7=ACC^7;unsigned char seg[]={0x00,0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07,0x08,0x09}; //0~~9段码 /******************DS1302：写入操作(上升沿)*********************/ void write_byte(unsigned char da){ unsigned char i; ACC=da; for(i=8;i>0;i--) { T_IO=ACC0; T_CLK=0; T_CLK=1; ACC=ACC>>1; }} /******************DS1302：读取操作（下降沿）*****************/unsigned char read_byte(void){ unsigned char i; for(i=0;i<8;i++) { ACC=ACC>>1; T_CLK = 1; T_CLK = 0; ACC7 = T_IO; } return(ACC); } /******************DS1302:写入数据（先送地址，再写数据）***************************/ void write_1302(unsigned char ADDR,unsigned char da){ T_RST=0; //停止工作 T_CLK=0; T_RST=1; //重新工作 write_byte(ADDR); //写入地址 write_byte(da); T_RST=0; T_CLK=1;}
上传时间： 2014-01-17
上传用户：sglccwk
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-11
上传用户：han_zh
