上下拉电阻的小结，希望对大家有用
标签： 下拉电阻
上传时间： 2013-10-21
上传用户：18165383642
工控技术
上传时间： 2013-12-26
上传用户：lifangyuan12
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
上传时间： 2013-11-06
上传用户：吾学吾舞
数字电路课程设计
上传时间： 2013-11-02
上传用户：daijun20803
占空比不可调矩形波产生电路 multisim 仿真
上传时间： 2013-11-04
上传用户：avensy
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
本应用笔记描述如何利用AD7142和电容传感器环，实现类似于传统35 mm单反(SLR)相机的单一位置数码相机快门按钮。除了更容易控制快门按钮的启动之外，其它优势包括：预对焦速度更快、快门按钮更便宜。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：13925096126
ADV7511 HDMI®发送器支持HDCP 1.1特性；然而，业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性，特别是增强链路验证(Pj校验)，存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释，ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中，如果接收器在其HDCP响应中显示支持HDCP 1.1特性，则ADV7511自动调用此(Pj校验)协议。HDCP 1.1特性禁用选项允许用户通过置位I2C寄存器位来禁用Pj校验。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：changeboy
用MATLAB编写低通滤波器
上传时间： 2013-11-24
上传用户：lijinchuan
功放电路测试 个人PPT.
上传时间： 2013-10-27
上传用户：lmq0059
