占空比不可调矩形波产生电路 multisim 仿真
上传时间： 2013-11-04
上传用户：avensy
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
本应用笔记描述如何利用AD7142和电容传感器环，实现类似于传统35 mm单反(SLR)相机的单一位置数码相机快门按钮。除了更容易控制快门按钮的启动之外，其它优势包括：预对焦速度更快、快门按钮更便宜。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：13925096126
ADV7511 HDMI®发送器支持HDCP 1.1特性；然而，业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性，特别是增强链路验证(Pj校验)，存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释，ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中，如果接收器在其HDCP响应中显示支持HDCP 1.1特性，则ADV7511自动调用此(Pj校验)协议。HDCP 1.1特性禁用选项允许用户通过置位I2C寄存器位来禁用Pj校验。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：changeboy
用MATLAB编写低通滤波器
上传时间： 2013-11-24
上传用户：lijinchuan
功放电路测试 个人PPT.
上传时间： 2013-10-27
上传用户：lmq0059
Abstract: Class D amplifiers are typically very efficient, making them ideal candidates for portable applications that require longbattery life and low thermal dissipation. However, electromagnetic interference (EMI) is an issue that commonly accompanies theClass D switching topology. Active-emissions limiting reduces radiated emissions and enables "filterless" operation, allowingdesigners to create small, efficient portable applications with low EMI.
上传时间： 2013-11-23
上传用户：哈哈hah
蛮实用的
上传时间： 2013-10-14
上传用户：ks201314
特征： 分辨率： 24 位（无失码） 有效位数： 21位（ PGA = 128 特征： 分辨率：24位（无失码） 有效位数：21位 输出码率：10Hz/80Hz（可选） 通道固定增益：128倍 对50Hz、60Hz噪声抑制：-100dB 工作电压：2.5v – 6v 可选择的内外置晶振 简单的SPI接口 应用场合： 电子秤、数字压力传感器； 血压计等医疗仪器； 微弱信号测量及工业控制 其他相关资料需求：18938649401@189.cn 18938649401
上传时间： 2013-11-19
上传用户：英雄
电子电路学习资料
上传时间： 2013-11-17
上传用户：lalalal
