L6599控制的半桥LLC谐振变换器设计与实现
LLC谐振变换器非常适合应用于高效率和高功率密度的场合，成为目前新型谐振变换器的典型代表。文章首先简要介绍了半桥LLC谐振变换器的工作原理和优点，然后计算了主电路和控制电路的主要参数，并根据参数计算结果选择电力电子元器件，最后研制并完善了实验样机。样机实现了变压器漏感充当谐振电感与变压器励磁电感和谐...
高密度电路技术资料
📦 资源总数：22356
💻 源代码：22309
🔥 高密度电路热门资料
查看全部22356个资源 »一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在...
基于ICE2PCS01的有源功率因数校正的电路设计
针对开关电源中的整流电路和其本身的非线性负载特性产生大量谐波污染公共电网问题，提出了一种高功率因素校正电路。采用英飞凌（Infineon）公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驱动MOSFET开关管，并与升压电感、输出电容等组成Boost拓扑结构，输入电流与基准电流比较后的误差电...
一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计
利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位...
一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...
💻 高密度电路源代码
查看更多 »📂 高密度电路资料分类