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飞机结构

  • 飞机电气检测的界面程序设计

    飞机电气检测的界面程序设计,非常有用,特别是对国防科工委的大学生来说!

    标签: 飞机 电气 检测 程序设计

    上传时间: 2013-08-21

    上传用户:zh_901

  • 基于CPLD的双屏结构液晶控制器的研究与设计

    基于CPLD的双屏结构液晶控制器的研究与设计作者:黄丽薇.doc

    标签: CPLD 液晶控制器

    上传时间: 2013-08-22

    上传用户:leyesome

  • COOLRUNNER系列CPLD的结构,特点及功能

    本文详细分析了COOLRUNNER系列CPLD的结构,特点及功能,使用VHDL语言实现数字逻辑,实现了水下冲击波记录仪电路的数字电路部分.

    标签: COOLRUNNER CPLD

    上传时间: 2013-08-26

    上传用户:亚亚娟娟123

  • 讲述CPLD和FPGA的结构

    讲述CPLD和FPGA的结构,对初学者很有用。

    标签: CPLD FPGA

    上传时间: 2013-08-26

    上传用户:奔跑的雪糕

  • 一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案

    节点是网络系统的基本控制单元,论文提出了一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案,它能够提高单节点并行处理能力,其模块化结构增强了节点的可靠性。

    标签: CPLD 多处理器 控制网络 节点设计

    上传时间: 2013-08-31

    上传用户:shanxiliuxu

  • 基于神经网络的某型飞机发动机故障诊断研究

      航空发动机故障诊断技术对避免飞行事故和降低飞行器运行成本是十分重要的。提出一种BP网络对某型飞机发动机进行故障诊断,但是由于BP网络收敛速度较慢而且容易陷入局部极小值,特别是BP网络通常只能给出一个解,受训练样本病态影响大。因此通过对BP网络的改进,建立了L-M算法神经网络的飞机发动机故障诊断模型。实验表明,该网络在一定程度上克服了BP网络存在的的问题,在逼近能力、分类能力和学习速度等方面均优于BP网络。为机务人员提供了有效的、科学的发动机故障诊断方法,该种评估手段较好地解决了发动机故障诊断问题,在飞行安全中发挥着越来越大的作用。

    标签: 神经网络 发动机 故障诊断 飞机

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:小儒尼尼奥

  • 基于改进AdaBoost算法的飞机特征图像识别

    飞机特征点图像的识别是航空试飞领域中计算机视觉研究的重要课题,在基于图像的视频安全监控、自动识别与智能人机交互方面有着重要的研究价值。其检测算法经过长时间的发展,已经取得了显著的成绩。本文中对Paul Viola提出的基于积分图像和AdaBoost的检测方法进行了深入研究、改进,并针对实际问题成功应用到飞机特征点图像的快速检测中。

    标签: AdaBoost 算法 特征 图像识别

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:日光微澜

  • COOLMOS_原理结构

    看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson就大了。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢?

    标签: COOLMOS

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:标点符号

  • CoolMos的原理、结构及制造

    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢? 对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结,对于一个PN结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积,也就是下图中的浅绿色部分,就是承受电压的大小。常规VDMOS,P body浓度要大于N EPI, PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散,所以此结构下,P body区域一侧,耗尽区扩展很小,基本对承压没有多大贡献,承压主要是P body--N EPI在N型的一侧区域,这个区域的电场强度是逐渐变化的,越是靠近PN结面(a图的A结),电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。

    标签: CoolMos 制造

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:小眼睛LSL

  • 锁相环技术及CD4046的结构和应用

    叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。

    标签: 4046 CD 锁相环技术

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:gxm2052