采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
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人们经常需要从旋转部件和其它运动机件上获取各类技术参数。随着电子技术的发展, 非接触测量技术越来越显示其优越性, 虽已在工程领域获得了广泛应用, 但是普遍存在供电问题, 目前非接触供电常用的有四种形式
上传时间： 2013-10-20
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小电流接地选线装置的应用在我国10~35kV电网中，普遍采用中性点不接地或经消弧线圈接地的方式，这两种方式统称为小电流接地系统。小电流接地系统单相接地故障是电网最常见的故障之一，当发生单相接地故障时，虽然在高压侧发生了故障相电压降低和非故障相电压升高，引起中性点位移，但线电压仍然是对称的且故障电流小，对供电设备不致造成危害，用户仍可继续工作。但单相接地故障有可能发展成为两相接地短路故障或其他形式的故障，为保证设备及人员安全，应及时找出接地故障线路以便迅速处理。对于单相接地故障的检测，传统的方法是采用副二次绕组接成开口三角形的三相电压互感进行检测。为了寻找故障线路，值班员通常采取轮流拉闸的办法来确定具体的故障线路。这种方法，会给安全运行及用户的生产造成一定的影响，降低了用户的供电可靠性。随着微机技术的发展，出现了微机型的小电流接地选线装置，这种装置可以在不对线路拉闸停电的情况下找到故障线路，因此与传统检测方案相比有很大的优越性。
上传时间： 2013-12-18
上传用户：dddddd55
基于超声波技术的非接触测距装置
上传时间： 2013-11-07
上传用户：cylnpy
卡尔曼滤波（非矩阵）参考程序
上传时间： 2013-11-18
上传用户：ch3ch2oh
介绍了一款可以同时读写接触式卡和非接触式卡的多功能读卡器，详细阐述了射频芯片PN532和主控芯片ST2211的外围硬件电路和整个读卡器的软件构架。同时对读卡器电源管理、低功耗设计、多通信方式融合等进行了较详细的分析
上传时间： 2013-10-23
上传用户：chongchongsunnan
摘要：研制了使用非接触传感器的温度检测系统读系统以8031单片机为棱心部件．利用光纤温度传感器对温度进行采样，通过微处理系统电路AD转换接口电路、数据采集接口电路、数码显示电路等主要组成电路，实现了非接触韫度检测功能．检测精度为土I℃。关键词：非接触传感器；温度检测；单片机
上传时间： 2014-12-27
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74系列选型参考 00 四2 输入与非门01 四2 输入与非门（OC）02 四2 输入与非门03 四2 输入与非门（OC）04 六反相器05 六反相器（OC）06 六高压输出反相缓冲器/驱动器（OC，30V）07 六高压输出缓冲器/驱动器（OC，30V）08 四2 输入与门09 四2 输入与门（OC）10 三3 输入与非门11 三3 输入与门12 三3 输入与非门（OC）13 双4 输入与非门（有施密特触发器）14 六反相器（有施密特触发器）
上传时间： 2013-10-28
上传用户：rocketrevenge
定压输入、6000VDC隔离非稳压单路输出电源模块效率高、体积小、可靠性高、耐冲击、隔离特性好，温度范围宽。国际标准引脚方式，阻燃封装（UL94-V0），自然冷却，无需外加散热片，无需外加其他元器件可直接使用，并可直接焊接在PCB板上。
上传时间： 2013-10-15
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利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题:针对LDO稳压器的稳定性问题，设计了一种新颖的动态密勒补偿电路8与传统方法相比，该电路具有恒定的带宽，大大提高了系统的瞬态响应性能，同时将开环增益提高了，左右使6LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片，验证了该方法的正确性和可行性。关键词：低压降稳压器，动态密勒补偿，稳定性，P型场效应管电容器
上传时间： 2013-10-24
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