静电击穿
共 13 篇文章
静电击穿 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 13 篇文章，持续更新中。
铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧
<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧<p></p></FONT></P>
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ESD保护电路的设计
ESD 静电放电给你的电子产品带来致命的危害不仅降低了产品的可靠性增加了维修成本而且不符合欧洲共同体规定的工业标准EN61000-4-2 就会影响产品在欧洲的销售所以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑ESD 保护电路本文将讨论ESD保护电路的几种方法.<br />
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雪崩击穿与齐纳击穿
雪崩击穿与齐纳击穿的区别
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
CMOS器件抗静电措施的研究
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<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CM
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
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p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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线性及逻辑器件选择指南
<P>绪论 3<BR>线性及逻辑器件新产品优先性<BR>计算领域4<BR>PCI Express®多路复用技术<BR>USB、局域网、视频多路复用技术<BR>I2C I/O扩展及LED驱动器<BR>RS-232串行接口<BR>静电放电(ESD)保护<BR>服务器/存储10<BR>GTL/GTL+至LVTTL转换<BR>PCI Express信号开关多路复用<BR>I2C及SMBus接口<B
BUCK变换中的尖峰问题
BucK变换器在开关转换瞬间．由于线路<BR>上存在感抗，会在主功率管和二极管上产生电<BR>压尖峰，使之承受较大的电压应力和电流冲击，<BR>从而导致器件热损坏及电击穿 因此，为避免<BR>此现象，有必要对电压尖峰的原因进行分析研<BR>究，找出有效的解决办法。
抑制电磁干扰源的设计
为了提高电子设备、仪表的工作性能等指标，针对电源、暂态过程、电磁辐射几种常见干扰源从他的干扰因素和特点出发，采用滤波器、加静电屏蔽、吸收、电磁屏蔽等措施抑制干扰源的影响。在应用中可根据实际需要进行选择。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202161F6404U.jpg" />
MOTION BUILDER 使用说明书Ver.2
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MOTION BUILDER Ver.2 是用于监控 KV-H20/H20S/H40S/H20G 的参数设定以及当前动作状态的软件。 在 PC 上可以设定复杂的参数，并可以在显示画面上监控正在运行的 KV-H20/H20S/H40S/H20G。<br />
关于 MOTION BUILDER Ver.2 概要、功能与使用方法的详细说明。在安装之前，请仔细阅读本手册，并充分 理解。</p