为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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isoad系列产品实现传感器和主机之间的信号安全隔离和高精度数字采集与传输，广泛应用于rs-232/485总线工业自动化控制系统，4-20ma / 0-10v信号测量、监视和控制，小信号的测量以及工业现场信号隔离及长线传输等远程监控场合。通过软件的配置，可接入多种传感器类型，包括电流输出型、电压输出型、以及热电偶等等。 产品内部包括电源隔离，信号隔离、线性化，a/d转换和rs-485串行通信等模块。每个串口最多可接256只iso ad系列模块，通讯方式采用ascii 码字符通讯协议或modbus rtu通讯协议，其指令集兼容于adam模块，波特率可由用户设置，能与其他厂家的控制模块挂在同一rs-485总线上，便于主机编程。 isoad系列产品是基于单片机的智能监测和控制系统，所有用户设定的校准值，地址，波特率，数据格式，校验和状态等配置信息都储存在非易失性存储器eeprom里。 isoad系列产品按工业标准设计、制造，信号输入 / 输出之间隔离，可承受3000vdc隔离电压，抗干扰能力强，可靠性高。工作温度范围- 45℃～+80℃。
上传时间： 2013-11-23
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小信号放大电路设计
上传时间： 2013-11-22
上传用户：王庆才
放大电路设计
上传时间： 2014-12-23
上传用户：破晓sunshine
工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源电路会在电机绕组上导致电压沿激增现象，而这些电压沿则可以电容耦合进低电压电路之中。电源电路中，电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和传感器之间的长电缆形成多种路径，可将噪声耦合到控制反馈信号中。高性能驱动器需要必须与高噪声电源电路隔离开的高保真反馈控制和信号。在典型的驱动系统中，包括隔离栅极驱动信号，以便将逆变器、电流和位置反馈信号驱动到电机控制器，以及隔离各子系统之间的通信信号。实现信号隔离时，不得牺牲信号路径的带宽，也不得显著增加系统成本。光耦合器是跨越隔离栅实现安全隔离的传统方法。尽管光耦合器已使用数十年，其不足也会影响系统级性能。
上传时间： 2013-11-03
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§6.1 反馈的基本概念及判断方法 §6.2 负反馈放大电路的四种基本组态 §6.3 方块图及一般表达式 §6.4 深度负反馈放大电路的增益 §6.5 负反馈对放大电路性能的影响 §6.6 负反馈放大电路的稳定性 §6.7 放大电路中其他形式的反馈
上传时间： 2014-12-23
上传用户：123啊
§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应
上传时间： 2013-11-12
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§3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 直接耦合放大电路
标签： 多级放大电路
上传时间： 2013-10-17
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§2.1 概述 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 三种基本接法 §2.6 派生电路 §2.7 场效应管放大电路
标签： 基本放大电路
上传时间： 2013-11-17
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介绍了差动放大电路演变历程，理论上分析了典型差动放大的工作原理以及特性参数的计算公式：应用虚拟实现技术一Pmteus软件进行了静态特性、差模输入信号、共模输入信号的实验研究，并对实验现象进行了分析。
上传时间： 2013-11-14
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