一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给...
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在静电传感器测量气/固两相流参数的基础上,以J.B.Gajewski教授的成果为基础,对电容的计算进行了研究。将静电传感器电极与屏蔽罩间的电容cp看作圆柱型电容,对其建立的静电传感器数学模型中的感应电...
运用XRD、SEM、eDAQ电化学工作站和超低噪声放大器,对样品的相组成、显微形貌及电化学性能进行表征。结果表明:所制备的Ag/AgCl电极外观形貌好,表面缺陷少,AgCl和Ag粉混合均匀。 ...
锂离子正极电池材料 1. 目前主要的技术工艺制法: 1.1. 高温固相反应法:高温固相反应法是以FeC2O4·2H2O,(NH4)H2PO4,Li2CO3等为原料...
晶片wafer 平面工艺详细介绍...
很全面的实验指导,无锡工艺单片机实验指导书。...
摘要:设计并制作了一种基于温度梯度驱动的液滴传输芯片,以实现对微液滴传输的精确控制.介绍了驱动原理和工艺流程,分析了仿真和实验结果.该芯片利用温度梯度下液滴表面形成的表面张力梯度来传输液滴,采用玻璃作...
印制电路设计中的工艺缺陷...
规范产品的 PCB 工艺设计,规定PCB 工艺设计的相关参数,使得PCB 的设计满足可生产性、可测试性、安规、EMC、EMI 等的技术规范要求,在产品设计过程中构建产品的工艺、技术、质量、成本优势...
中兴--射频板PCB工艺设计规范...