量子效应

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研究SOI NMOS器件在单粒子效应下电荷积累特性的技术论文，涵盖器件物理与辐射效应分析，适用于集成电路可靠性设计参考。

2026-03-19 1 量子效应

研究了两个分回路中电路参数即电容和电感的不同对有阻尼的介观耦合电路中量子涨落的影响。计算中考虑了电阻产生的物理机制即电子与声子的相互作用。两个分回路电路参数的不同会使一个分回路中的量子涨落减小，

2024-02-29 10 量子效应

从基础原理到实验分析，循序渐进讲解80C31单片机在总剂量效应下的电路表现。涵盖辐射环境对芯片性能的影响及应对策略，适合深入理解嵌入式系统可靠性设计。

2026-03-16 2 量子效应

对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大...

2024-07-08 2 量子效应

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET) 型传感器的结构和工作原理。它是在pH2ISFET传感器的基础上用PVC 方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器

2024-05-12 4 量子效应