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输出电容

  • 利用AD7142和电容传感器开发单键数字快门按钮

    本应用笔记描述如何利用AD7142和电容传感器环,实现类似于传统35 mm单反(SLR)相机的单一位置数码相机快门按钮。除了更容易控制快门按钮的启动之外,其它优势包括:预对焦速度更快、快门按钮更便宜。

    标签: 7142 AD 电容传感器 单键

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:13925096126

  • 电容数字转换器AD7142和AD7143的传感器PCB设计指南

    AD7142和AD7143是具有片内环境校准功能的集成式电容数字转换器(CDC),可用于需要采用新型用户输入法的系统。AD7142和AD7143可与外部电容式传感器接口,从而实现电容按钮、滚动条或滚轮等功能。

    标签: AD 7142 7143 PCB

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:zhangzhenyu

  • 具体应用的电容感应系统设计

    在许多消费电子产品及白色家电应用中,新兴的电容感应按钮正作为一个流行的用户界面替代机械开关。然而,电容感应界面设计也会带来挑战,在新产品研发、生产及质量控制等方面都可能会出现问题。例如,不同线路板的电容感应按钮寄生电容(CP )可能不同,环境变化(例如温度及湿度)也可能会改变CP。系统不同噪声也不相同。

    标签: 电容感应 系统设计

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:zhangfx728

  • 电容值的读取方法

    常见电容值的读取方法

    标签: 电容值 读取

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:WMC_geophy

  • CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

    为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1 mm×1 mm,并参与MPW(多项目晶圆)计划流片,流片测试结果表明,在输出负载很大时,本设计能提供足够的驱动电流,同时延迟时间短、并占用版图面积小。

    标签: CMOS 工艺 多功能 数字芯片

    上传时间: 2013-10-09

    上传用户:小鹏

  • 贴片电容分类介绍

    贴片电容分类介绍

    标签: 贴片电容 分类

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:PresidentHuang

  • VISHAY ESTA功率电容选型指导

    VISHAY ESTA功率电容选型指导.

    标签: VISHAY ESTA 功率 电容选型

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:dddddd

  • x电容和y电容介绍

    X电容是指跨于L-N之间的电容器, Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).

    标签: 电容

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:haohao

  • CMOS和TTL电路探讨

    通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好(一般约为几十皮(10-12)焦耳)。与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

    标签: CMOS TTL 电路

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:DE2542

  • MOS管驱动基础和时间功耗计算

    MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出,因此等效值由于Vds电压要比原来大很多,这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的,我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。

    标签: MOS 驱动 功耗计算

    上传时间: 2013-12-09

    上传用户:qlpqlq