抑制△I 噪声一般需要从多方面着手, 但通过PCB 设计抑制△I 噪声是有效的措施之一。如何通过PCB 设计抑制△I 噪声是一个亟待深入研究的问题。在对△I 噪声的产生、特点、主要危害等研究的基础上, 讨论了辐射干扰机理, 重点结合PCB 和EMC 研究的新进展, 研究了抑制△I 噪声的PCB 设计方法。对通过PCB 设计抑制△I 噪声的研究与应用具有指导作用。
上传时间： 2014-12-24
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共模干扰和差模干扰是电子、 电气产品上重要的干扰之一，它们 可以对周围产品的稳定性产生严重 的影响。在对某些电子、电气产品 进行电磁兼容性设计和测试的过程 中，由于对各种电磁干扰采取的抑 制措施不当而造成产品在进行电磁 兼容检测时部分测试项目超标或通 不过EMC 测试，从而造成了大量人 力、财力的浪费。为了掌握电磁干 扰抑制技术的一些特点，正确理解 一些概念是十分必要的。共模干扰 和差模干扰的概念就是这样一种重 要概念。正确理解和区分共模和差 模干扰对于电子、电气产品在设计 过程中采取相应的抗干扰技术十分 重要，也有利于提高产品的电磁兼 容性。
上传时间： 2014-01-16
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介绍了2H桥级联电路结构，研究和分析了用于多电平逆变器的三种不同的多载波PWM调制策略，并分析了逆变器侧输出电压频谱。在上述调制策略基础上结合多参考波调制方法，采用新型的多参考波和多载波的PWM技术，在Matlab/Simulink环境下构建了PWM调制模型。仿真结果与典型的多载波PWM策略结果的比较显示，新型的多载波控制方法能够小幅减小总谐波的失真率（THD），改善了输出电压频谱。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：lili123
提出一种增加去耦支路损耗抑制电源分配网络PDN中并联谐振的方法。该方法通过在去耦支路引入一个串联电阻，使PDN的损耗增加，从而抑制PDN并联谐振。给出了理论模型，借助Hyperlynx PI仿真软件在DM642板卡上进行仿真实验。结果表明，在去耦支路引入一个0.45 Ω电阻，可将PDN并联谐振处的品质因数Q从282抑制到13。同时，分析了引入电阻对去耦效果的影响。当引入电阻小于0.45 Ω时，可通过增加去耦电容并联个数来补偿引入电阻对去耦的影响。
上传时间： 2013-11-16
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全桥变换器中磁通不平衡的抑制。
上传时间： 2013-10-22
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介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
开关电源的尖峰抑制
上传时间： 2013-10-15
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介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
上传时间： 2013-10-08
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ESD静电抑制资料。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：rishian
电源纹波的产生、危害、测量和抑制
上传时间： 2013-10-31
上传用户：txfyddz
