路径优化

共 48 篇文章
路径优化 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 48 篇文章,持续更新中。

基于遗传变异蚁群算法的机器人路径规划的改进

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对基本蚁群算法在机器人路径规划问题中容易陷入局部最优的问题,提出了一种改进的蚁群算法,利用遗传算法加入了变异因子使最优路径产生变异,从而降低了蚁群算法

新型文字电话中数字滤波器的设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">文中介绍了应用在新型文字电话中的数字滤波器设计技术,这种电话使用了dsPIC33F系列微处理器。采用dsPIC单片机专用

一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实

Construction Strategy of ESD P

Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo

非理想运放构建的低通滤波电路优化设计

<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响,提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法,实验结果表明了该方法的有效性。<br /> <img alt="" src="http://dl.

ESD电热模拟分析

静电放电(ESD)是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此,电子产品中必须加上ESD保护,提供ESD电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ESD保护电路,使ESD保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ESD引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ESD模拟的软件,并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br /> <br />

5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计

<p> 采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动&lt;0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12

数字隔离器为工业电机驱动应用带来性能优势

<div> 工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源电路会在电机绕组上导致电压沿激增现象,而这些电压沿则可以电容耦合进低电压电路之中。电源电路中,电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和传感器之间的长电缆形成多种路径,可将噪声耦合到控制反馈信号中。高性能驱动器需要必须与高噪声电源电路隔离开的高保真反馈控制和信号。在典型的驱动系统中,

MEMS传感器的静止带宽测试

<div> 对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言,优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标,往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时,一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性,需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在

Quartus_II_11.0_x86破解器下载

Quartus_II_11.0_x86破解器下载方法:<br /> 首先安装Quartus II 11.0软件(默认是32/64-Bit一起安装):<br /> 用Quartus_II_11.0_x86破解器(内部版).exe破解C:\altera\11.0\quartus\bin下的sys_cpt.dll文件(运行Quartus_II_11.0_x86破解器(内部版).exe后,直接点击&ldq

三菱PLC编程软件 中文版下载

三菱PLC编程软件(中文). 三菱FX系列PLC解密软件 V3.1里面包含了三菱PLC编程软件(中文)教程,安装方法<br /> <br /> 三菱PLC编程软件 GX-developer 安装详细说明<br /> 请将软件安装压缩包解压到D盘根目录或者C盘根目录进行安装,太深的目录容易出错<br /> 在安装程序之前,最好先把其他应用程序关闭,比如杀毒软件,防火墙,IE,办公软件 <p> 1,

更改ADM1073的电流限值

<div> ADM1073 &ndash;48 V热插拔控制器,可通过动态控制置于电源路径中外部N沟道FET上的栅极电压,精确限制该电源产生的电流。内部检测放大器可以检测连接在电源VEE和SENSE引脚之间的检测电阻上的电压。该电平体现了负载电流水平。检测放大器具有100 mV (&plusmn;3%)的预设控制环路阈值。这意味着当检测电阻上检测到100 mV的电压时,电流控制环路就会调节负载电

600V_CoolMOS优化设计

<div> CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡

基于粒子群模糊C均值聚类的快速图像分割

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">模糊C-均值聚类算法是一种无监督图像分割技术,但存在着初始隶属度矩阵随机选取的影响,可能收敛到局部最优解的缺点。提出了一种粒子群优化与模糊C-均值聚类相

多头动臂式贴片机贴装时间分阶段启发式优化算法

摘要:贴片机贴装时间是影响表面组装生产线效率的重要因素,文中提出了一种改进式分阶段启发式算法解决具有分飞行换嘴结构的多贴装头动臂式贴片机贴装时间优化问题;首先,根据飞行换嘴的特点,提出了适用于飞行换嘴的喂料器组分配方案;其次,依据这一分配结果,通过改进式启发式算法实现了喂料器组在喂料器机构上的分配;最后,结合近邻搜索法解决了元器件的贴装顺序优化问题;仿真结果证明,文中采用的改进分阶段启发式算法比传

一种弱耦合非对称渐变线定向耦合器的快速设计

<span id="LbZY">给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法,以线性渐变为基础,通过仿真优化获取最优渐变,摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性,在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz,耦合度为-25dB的定向耦合器,利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。</span><br /> <br /> <br />

基于小信号S参数的功率放大器设计

首先把功率管的小信号<em>S</em>参数制成S2P文件,然后将其导入ADS软件中,在ADS中搭建功率管的输入输出端口匹配电路,按照最大增益目标对整个电路进行优化,最后完成电路的设计。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120213153I0440.jpg" />

了解ADF7021的AFC环路并为实现最小前同步码长度而进行优化

<div> 无线电通信网络中的远程收发器使用自己的独立时钟源。因此,这些收发器容易产生频率误差。当发射机启动通信链路时,关联的接收机需要在数据包的前同步码阶段校正这些误差,以确保正确的解调<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R21619121G.jpg" />

针对高速应用的电流回授运算放大器

讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器<BR>电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势,并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。<BR>电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限,随着讯号振幅的增加,而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真,所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/