元器件封装规格大全
上传时间： 2013-10-21
上传用户：66666
1,电路板插件，浸锡，切脚的方法 1.制板(往往找专门制板企业制作，图纸由自己提供)并清洁干净。 2.插横插、直插小件，如1/4W的电阻、电容、电感等等贴近电路板的小尺寸元器件。 3.插大、中等尺寸的元器件，如470μ电解电容和火牛。 4.插IC，如贴片IC可在第一步焊好。 原则上来说将元器件由低至高、由小至大地安排插件顺序，其中高低原则优先于水平尺寸原则。 若手工焊接，则插件时插一个焊一个。若过炉的话直接按锡炉操作指南操作即可。 切脚可选择手工剪切也可用专门的切脚机处理，基本工艺要求就是刚好将露出锡包部分切除即可。 若你是想开厂进行规模生产的话，那么还是建议先熟读掌握相关国家和行业标准为好，否则你辛苦做出的产品会无人问津的。而且掌握标准的过程也可以帮助你对制作电路板流程进行制订和排序。 最后强烈建议你先找个电子厂进去偷师一番，毕竟眼见为实嘛。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：lvchengogo
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-21
上传用户：jjq719719
温度传感器、温度探头，热电偶、热电阻产品选型样本。
上传时间： 2013-11-01
上传用户：zjc0413
简易自动电阻测试仪
上传时间： 2013-12-17
上传用户：raron1989
简易的电阻、电容、电感检测仪
上传时间： 2013-11-04
上传用户：1109003457
非接触式接地电阻测试仪说明书，不是做广告，精度比较高
上传时间： 2013-11-26
上传用户：yan2267246
采用新型的测试计算法,检测HGIS内部开关及刀闸的接触电阻,便于和出厂数据进行对比。既确保了试验过程中设备和检修人员的人身安全,也缩短了线路停役时间,提高了社会效益。在当前新的用电环境下具有一定的推广意义。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：1234321@q
本文分析了影响VA法高阻测量精度的主要因素，设计了以单片机为核心的高阻测量仪。采用加压浏流 的 方 案 ， 运用 双 屏蔽输入电缆、优选输入级器件、隔离等关健技术，使电阻浏量可达10160，电流测量可达10一”Aa
上传时间： 2013-10-30
上传用户：xiaojie
[摘要] 目的:制备双氯芬酸钠贴片,研究其体外释放、透皮吸收性能。方法:制备以聚丙烯酸酯为骨架的双氯芬酸钠贴片,以蛇皮为模型,采用改进Franz扩散池考察药物经皮渗透性能,并按中国药典方法考察了贴片的体外释放性能。结果:双氯芬酸钠贴片体外释放速率为21.98μg·cm-2·h-1/2,体外透皮速率为17.97μg·cm-2·h-1/2。结论:双氯芬酸钠贴片释放度曲线及24h累计渗透量均符合Higuchi方程,是一种新颖的缓释型外用制剂。[关键词] 双氯芬酸钠;释放度;体外渗透
上传时间： 2013-10-24
上传用户：Artemis
