论文的主要工作和研究成果可以概括为以下几个方面：1，分析了微波射频滤波器的基本原理，频率变换规则。阐述了微波滤波器的新技术及其应用.2，研究分析了螺旋滤波器的基本理论，设计了一种工作在VHF/UHF波段的螺旋腔体带阻滤波器。论文以传统的带状线带阻滤波器作为着手点，采用电容耦合短截线谐振结构，将同轴线谐振器变换成螺旋线结构，有效地缩小了滤波器的体积。3，提出了一种结构新额的微带平面结构滤波器，采用双模谐振器结构形式。V/在辐射贴片上开十字交叉槽线来降低谐振频率。滤波器的输入输出请振臂使用L形开路结构，带外抑制非常好，高达-33dB，二次谐波被推移到基波的3倍频以外。论文采用理论分析与计算机辅助设计相结合的设计理念。对螺旋腔体带阻滤波器和双模微带带通滤波器进行了实物加工，实测结果与仿真结果相吻合.关键词：射频；滤波器；螺旋谐振器：双模谐振器
标签： 射频滤波器
上传时间： 2022-06-20
上传用户：
本文首先介绍了卫星导航接收机的发展现状与趋势。接着对比分析了现如今主流的接收机技术：超外差式、零中频式、低中频式及数字中频式结构，介绍了各结构的拓扑结构并对比了相互之间的优缺点，然后根据B1导航信号的特征参数要求，确定本文接收机所采用低中频结构的技术指标。结合选择的芯片参数搭建系统仿真模型，利用系统仿真软件ADS对接收机前端链路进行行为级仿真，验证设计方案的可行性，分模块设计了接收机前端系统的各功能电路，主要有多级低噪声放大器、选频滤波电路、本振电路、混频器电路以及系统自动增益控制电路。针对卫星导航信号接收机前端必须具备高灵敏度、强选择性以及一定动态范围的特点，需要平衡设计低噪声放大器噪声性能与单级增益，以及折中接收机前端镜像频率抑制性能与信道的选择性。利用仿真软件辅助设计了电路原理图与印刷电路板版图，对其PCB贴片后进行测试与调试。最后将调试好的模块级联成系统，测试射频前端系统的性能并加以册NWL.Clogin.com最终实现的接收机射频前端5V电压供电，接收信号中心频率1561.098MHz，链路最大增益为122dB，系统噪声小于2dB.中频信号中心频率46.1MHz，带宽为4.3MHz，纹波在1.5dB内，带外抑制与镜像抑制都大于30dB，端口驻波比小于2.0，测试结果基本满足设计指标要求。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：
本文所研究的电压可调谐带通滤波器是射频选频网络中一个重要部件，它具有带宽小、中心频率调谐范围大，阻带抑制度高、频率调谱范围内带宽和滤波曲线变化很小、结构小型化等特点。在整个研究的过程中，概括起来主要做了以下几方面的工作：1，首先从滤波器网络设计理论入手，在耦合谱振器带通滤波器的基础上，简单介绍了从低通原型滤波器到耦合谐振器可调带通滤波器的设计过程，并通过查阅大量的资料和进行公式推导得到频率变化和可调滤波器性能参数之间的关系公式。2，针对可调滤波器的设计，详细研究分析了可变电容二极管在谐振回路中）的特性、介绍LC调谐滤波器的电路设计以及微带线理论3，滤波器的设计是工作的重点，包括基本电路结构的设计、梳状线滤波器的近似等效模型，利用ADS仿真软件进行的优化设计和滤波器的测试工作三部分。前两部分工作主要是在理论设计的基础上，推算并利用软件得出实际滤波器的各个部件更精确的值。针对所设计可调谱带通滤波器调谐频率范围宽的特点，在仿真过程中采用了一些特殊的处理方法，例如改进的优化方法。第三部分的工作主要是对加工好的滤波器进行测试，并进行调试，最后分析了滤波器的某些性能不能完全满足要求存在的原因以及对该课题的后续工作开展提供一些思路。
标签： 射频电调谐滤波器
上传时间： 2022-06-20
上传用户：slq1234567890
在光伏发电系统中，光伏电池的利用率除了与光伏电池的内部特性有关外，还受使用环境如辐照度、负载和温度等因素的影响。在不同的外界条件下，光伏电池可运行在不同且惟一的最大功率点（Maximum Power Point，MPP）上，因此，对于光伏发电系统来说，应该寻求光伏电池的最优工作状态，以最大限度地将光能转化为电能，即需要采用最大功率点跟踪（Maximum Power Point Tracking，MPPT）技术.本文根据光伏电池最大输出功率与光照度的关系，建立了基于Boost电路的MPPT仿真模型，采用扰动观测法，通过调整DC-DC电路的占空比实现了最大功率点追踪。使用Matlab/Simulink 工具，在辐照度恒定和阶跃变化的情况下，对MPPT进行了仿真分析。1光伏电池的特性光伏电池实际上就是一个大面积平面二极管，其工作可以图1的单二极管等效电路来描述1，光伏电池的特性方程如式（1）所示。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：
随着全控型器件（目前主要是功率MOSPET与IGBT）的广泛使用以及脉宽调制技术的成熟，高频软开关电源也获得了极快地发展。变换电能的电源是以满足人们使用电源的要求为出发点的，根据不同的使用要求和特点对发出电能的电源再进行一次变换。这种变换是把种形态的电能变换为另一种形态的电能，它可以是交流电和直流电之间的变换，也可以是电压或电流幅值的变换，或者是交流电的频率、相位等变换，软开关电源输入和输出都是电能，它属于变换电能的电源。本论文研究了一种新型双管正激软开关DC/DC变换器电路拓扑。主功率器件采用IGBT元件，由功率二极管、电感、电容组成的谐振网络改善IGBT的开关条件，克服了传统开关在开通和闭合过程中会产生功率损耗，并且降低开关灵敏性的弊端。该论文对IGBT的软开关电源进行了总体设计和仿真，最后设计出了一台输出电压为48V、输出功率为1.5kW、工作频率为80kHz、谐振频率为350kHz的开关电源理论模型。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：
本文提供SC7A20 SC7A21三轴传感器设计指导，本司可提供FAE设计指导。SC7A20是一款高精度数字三轴加速度传感器芯片，内置功能更丰富，功耗更低，体积更小，测量更精确。(±2G、±4G、±8G和±16G四种可调整的全量程测量范围)芯片通过I2C/SPI接口与MCU通信，加速度测量数据以中断方式或查询方式获取。INT1和INT2中断管脚提供多种内部自动检测的中断信号，适应多种运动检测场合，中断源包括6D/4D方向检测中断信号、自由落体检测中断信号、睡眠和唤醒检测中断信号、单击和双击检测中断信号。芯片内置高精度校准模块，对传感器的失调误差和增益误差进行精确补偿。±2G、±4G、±8G和±16G四种可调整的全量程测量范围，灵活测量外部加速度，输出数据率1HZ和400HZ间可选。芯片内置自测试功能允许客户系统测试时检测系统功能，省去复杂的转台测试。芯片内置产品倾斜校准功能，对贴片和板卡安装导致的倾斜进行补偿，不占系统资源，系统文件升级不影响传感器参数。
标签： 三轴传感器
上传时间： 2022-06-21
上传用户：
变频器是指利用电力电子器件将工颊的交流电源变换为用户所需频率的交流电源，它分为直接变频（交一交变频）和间接变频（交一直-交变频），间接变频技术在稳频稳压和调频调压的利用率以及变频电源对负载特性的影响等方面，都具有明显的优势，是目前变频技术领域普遍采取的方式，本课题所研究的正是间接变频中的脉宽调制（PWM）变频器技术由于IGBT器件的开关速度很快，当IGBT关断或绩流二极管反向恢复时会产生很大的di/dr，该dild在主电路的布线电感上引发较大的尖峰电压（关断浪涌电压）.在采用PWM开关控创模式的IGBT变频器中，IGBT的开关状态不但与PWM脉冲有关，还与变频器主电路元器件及负载特性有很大关系，为了确保IGBT安全可靠的工作，有必要进一步分析主电路和缓冲电路各器件的工作情况和接相过程，以期设计出有效的IGBT保护电路。本文推导了两电平PWM三相变频器的数学模型，对变频器主电路的换相过程及缓冲电路的工作方式利用PSIM软件进行了细致的仿真分析，同时也仿真研究了布线电感及缓冲电路各参数对1GBT关断电压的影响；详细介绍了变频器所包含的各电路环节的理论基础及设计过程：并在大量的文献资料和相关仿真分析的基础上推导出套级冲电路器件参数的计算公式，实践表明计算结果符合要求并取得了良好的效果。经过大量的实验和反复的改进，并给出了调试结果及变频器的额定输出电压、电流波形。通过将试验结果与理论外析进行比较验证，证明了理论分析的合理性，本文所研究设计的变频器性能稳定，运行可靠，完全满足设计要求.
上传时间： 2022-06-21
上传用户：bluedrops
1，Vs：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2，Poat：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =（Ty-T）/Rtaie其中，Ty为结温， 为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。在这里，顺便解释下这几个热阻，Rtice 结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与克的温差；Rthig芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升；Rehb芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
上传用户：
0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值Timar 50 ℃），因此必须采用适当的散热装置，将热量传导到外部环境。如果散热装置设计或选用不当，这些大功率器件因过热而损坏。为了在确定的散热条件下设计或选用合适的散热器，确保器件安全、可靠地工作，我们需进行散热计算。散热计算是通过计算器件工作时产生的损耗功率Pa、器件允许的结温T、环境温度T，求出器件允许的总热阻R，f-a）；：再根据Raf-a）求出最大允许的散热器到环境温度的热阻Rinf-）：最后根据Rbf-a）选取具有合适热阻的散热器。1 IGBT损耗分析及计算对于H型双极模式PWM系统中使用的1GBT模块，主要由IGBT元件和续流二极管FWD组成，它们各自发生的损耗之和就是IGBT本身的损耗。除此，加上1GBT的基极驱动功耗，即构成IGRT模块整体发生的损耗。另外，发生损耗的情况可分为稳态时和交换时。对上述内容进行整理可表述如下：
上传时间： 2022-06-21
上传用户：
