程序能够实现将十二位的二进制数5V对应fffH变换成一路0~5V的电压。 精度方面：在使用时上下波动范围大约是0~2fH能保证高位寄存器准确； 调试过程中遇到了一系列问题：（1）p0口的使用需接上拉电阻，内部没有带电阻；（2）调试的过程最好使用单步运行，以便于察看寄存器的内容；（3）对系统板不熟悉，一些硬件方面容易出问题，像口连接，电源、地的连接。（4）直流电源使用不准确，内部的各个电源输出是独立的，需要共地。
上传时间： 2015-11-10
上传用户：一诺88
在目标被动式跟踪中广泛应用的伪量测变换估计器(PLE)具有良好的误差收敛性。然而由于等价噪声和状态的相关性,该估计器的估计是有偏的。提出的强跟踪滤波器(STF)通过强制白化残差具有自适应地校正估计偏差和迅速跟踪状态变化的能力。STF已经在非线性系统时滞估计、故障诊断与容错控制方面取得了很好的效果。
上传时间： 2016-04-18
上传用户：zuozuo1215
利用MSP430定时器的来实现的DAC变换，做MSP430单片机的同学可以参考参考
上传时间： 2016-08-25
上传用户：star_in_rain
根据韦瓦[ Weawa] 单边带调制解调法、COSTAS 锁相环及双线性变换, 提出基于软件无线电的单边带锁相解调器。解调器运行在TMS320C6203 上, 能实时处理160kHz 信号, 捕捉8kHz 频偏。
上传时间： 2013-12-23
上传用户：杜莹12345
AVR单片机内部AD变换 AVR内部ADC转换原理： AVR单片机内部的ADC转换为10位逐次逼近型ADC。ADC与一个8通道的模拟多路复用器连接，能对来自端口A 的8 路单端输入模拟电压进行采样。单端电压输入以0V (GND) 为基准。器件还支持16 路差分电压输入组合。
上传时间： 2017-07-09
上传用户：6546544
数字图像快速傅立叶变换,定时器，数字滤波器，无限脉冲响应，索贝尔滤波器
上传时间： 2014-01-03
上传用户：脚趾头
0328、基于阶梯阻抗发夹谐振器的小型低通滤波器
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上传时间： 2014-04-09
上传用户：2728460838
有源带通滤波器有源低通滤波器有源高通滤波器有源陷波器有源谐振滤波器5个Multisim源码文件
上传时间： 2021-11-12
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随着电力电子技术的飞速发展，高频开关电源由于其诸多优点已经广泛深入到国防、工业、民用等各个领域，与人们的工作、生活密切相关，由此引发的电网谐波污染也越来越受到人们的重视，对其性能，体积，效率，功率密度等的要求也越来越高。因此，研究具有高功率因数、高效率的ACDC变换技术，对于抑制谐波污染、节钓能源及实现绿色电能变换具有重要意义通过分析目前功率因数校正PFC）技术与直流变换（DcDC）技术的研究现状，采用了具有两级结构的AcDc变换技术，对PFC控制技术，直流变换软开关实现等内容进行了研究。前级PFC部分采用先进的单周期控制技术，通过对其应用原理、稳定性与优势性能的研究，实璄了主电路及控电路的参数设计与优化，简化了PFC控制电路结构、根据控制电路特点与系統环路稳性要求，完成了电流环路与整个控制环路设计，确保了系统稳定性，提高了系统动态响应。通过建立电路闭环仿真模型，验证了单周期控制抑制输入电压与负载扰动的优势性能及连续功率因数校正的优点，优化了电路参数后级直流变换主电路采用LLC谐振拓扑，通过变频控制使直流变换环节具有轼开关特性。分析了不同开关频率范围内电路工作原理，并建立了基波等效电路，采用基波分析法对VLc需城电路的电反增益性，输入阻抗持性进行了研究，确定了电路软开关工作范图。以基波分析结果为基础进行了合理的电路参数优化设计，保证了直流变换环节在全输入电压范围、全负载范围内能实现桥臂开关管零电压开通zVS}，较大范围内边整流二极管零电流关断区CS），并将谐振电路中的电压电流应力降到最小，极大的提高了系统效率同时，为了提高系统功率密度，选择了优化的磁性元器件结构，实现了谐振感性元件与变压器的磁性器件集成，大大减小了变换电路的体积在理论研究与参数设计的基础上，搭建了实验样机，分别对PFC部分和DcDC部分进行了实验验证与结果分析。经实验验证ACDc变换电路功率因数在0.988以上，直瓿变换电路能实现全范图软开关，实现了高效率AcDC变换。关键词：ACDC变换：功率因数校正：；高效率；LLC谐振电路：单周期控制
上传时间： 2022-03-24
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此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
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