该文档为功率放大电路的分析与调试讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 功率放大电路
上传时间： 2022-02-28
上传用户：jason_vip1
在电子产品迅速发展的今天，电源设计，特别是开关电源的设计，在新产品的研制中占了相当重要的位置。对于广大的电源设计师而言，单纯靠经验来搭建试验电路的传统办法已经不可能满足当今电源产品的设计要求，而且无论从设计周期方面还是开发成本方面也都是难以承受的。因此借助先进的CAD技术，可提高电源产品的设计质量。本文首先简要介绍了开关电源基本原理和基本结构，然后结合一款具体产品，详细分析了推挽式开关电源的基本原理，并对各部分电路进行分别设计，尤其详细说明了磁性器件的设计，所搭建的实验电路能够基本满足设计要求，但仿真结果不理想，本文分析了仿真结果不理想的原因。为下一步改进工作提供基础关键词：厚膜混合电路、开关电源、推挽模式、PWM、磁性器件任何电子设备都离不开可靠的电源，它们对电源的要求也越来越高。电子设备的小型化和低成木化使电源以轻、薄、小和高效率为发展方向。传统的品体管串联调整稳压电源是连续控制的线性稳压电源。这种传统的稳压电源技术比较成熟，但是其通常都需要体积大且笨重的工频变压器与体积和重量都很大的滤波器而且调整管功耗较大，电源效率很低，一般只有45%左右。另外，由于在调整管上消耗较大的功率，所以需要采用大功率调整管并装有体积很大的散热器，很难满足现代电子设备发展的要求。20世纪50年代，美国宇航局以小型化、重量轻为目标，为搭载火箭开发了开关电源。在近半个世纪的发展过程中，开关电源因具有体积小、重量轻、效率高、发热量低、性能稳定等优点而逐渐取代传统技术制造的连续工作电源，并广泛应用于电子整机与设备中，20世纪80年代，计算机全面实现了开关电源化，率先完成计算机的电源换代。20世纪9年代，开关电源在电子、电器设备、家电领域得到了广泛的应用，开关电源技术进入了快速发展期
标签： 开关电源
上传时间： 2022-03-16
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电子书-模拟电路上下册模拟集成电路分析 模拟集成电子电路5本合集
标签： 模拟电路
上传时间： 2022-03-20
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磷酸铁锂电池充电电路的设计及实验分析
上传时间： 2022-04-05
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LLC电路磁元件分析与技术，关键设计方案，实用的技术。
上传时间： 2022-04-14
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三极管的高频特性分析仿真电路
标签： 三极管
上传时间： 2022-04-18
上传用户：shjgzh
本文包含159例电路图的设计与分析，电路讲解通俗易懂本文收集于两个网站1、电子懒人的基础电路图讲解2、智慧帽DIY本文由suguslly整理制作
标签： 电路设计
上传时间： 2022-05-03
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射频接收机系统与电路的分析，对做接收机的同事非常有意义
上传时间： 2022-06-18
上传用户：kent
无论是不控整流电路，还是相控整流电路，功率因数低都是难以克服的缺点.PWM整流电路是采用PWM控制方式和全控型器件组成的整流电路，本文以《电力电子技术 教材为基础，详细分析了单相电压型桥式PWM整流电路的工作原理和四种工作模式.通过对PWM整流电路进行控制，选择适当的工作模式和工作时间间隔，交流侧的电流可以按规定目标变化，使得能量在交流侧和直流侧实现双向流动，且交流侧电流非常接近正弦波，和交流侧电压同相位，可使变流装墨获得较高的功率因数.：PWM整流电路：功率因数：交流侧：直流侧传统的整流电路中，晶闸管相控整流电路的输入电流滞后于电压，其滞后角随着触发角的增大而增大，位移因数也随之降低。同时输入中谐波分量也相当大、因此功率因数很低。而二极管不控整流电路虽然位移因数接近于1，但输入电流中谐波分量很大，功率因数也较低。PWM整流电路是采用PWM控制方式和全控型器件组成的整流电路，它能在不同程度上解决传统整流电路存在的问题。把逆变电路中的SPWM控制技术用于整流电路，就形成了PWM整流电路。通过对PWM整流电路进行控制，使其输入电流非常接近正弦波，且和输入电压同相位，则功率因数近似为1。因此，PWM整流电路也称单位功率因数变流器。
上传时间： 2022-06-20
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摘要：对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250，EXB系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项，对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验，通过有关的波形验证了它们的特点，最后得出结论：IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词：绝缘栅双极晶体管：集成电路；过流保护1前言电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘门极双极型品体管（IGBT）[1].在IGBT中，用一个MoS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件，它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源（UPS）和交流电机调速系统的设计中，它是日前最为常见的一种器件。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
