减小电磁干扰的印刷电路板设计原则 内 容 摘要……1 1 背景…1 1.1 射频源.1 1.2 表面贴装芯片和通孔元器件.1 1.3 静态引脚活动引脚和输入.1 1.4 基本回路……..2 1.4.1 回路和偶极子的对称性3 1.5 差模和共模…..3 2 电路板布局…4 2.1 电源和地…….4 2.1.1 感抗……4 2.1.2 两层板和四层板4 2.1.3 单层板和二层板设计中的微处理器地.4 2.1.4 信号返回地……5 2.1.5 模拟数字和高压…….5 2.1.6 模拟电源引脚和模拟参考电压.5 2.1.7 四层板中电源平面因该怎么做和不应该怎么做…….5 2.2 两层板中的电源分配.6 2.2.1 单点和多点分配.6 2.2.2 星型分配6 2.2.3 格栅化地.7 2.2.4 旁路和铁氧体磁珠……9 2.2.5 使噪声靠近磁珠……..10 2.3 电路板分区…11 2.4 信号线……...12 2.4.1 容性和感性串扰……...12 2.4.2 天线因素和长度规则...12 2.4.3 串联终端传输线…..13 2.4.4 输入阻抗匹配...13 2.5 电缆和接插件……...13 2.5.1 差模和共模噪声……...14 2.5.2 串扰模型……..14 2.5.3 返回线路数目..14 2.5.4 对板外信号I/O的建议14 2.5.5 隔离噪声和静电放电ESD .14 2.6 其他布局问题……...14 2.6.1 汽车和用户应用带键盘和显示器的前端面板印刷电路板...15 2.6.2 易感性布局…...15 3 屏蔽..16 3.1 工作原理…...16 3.2 屏蔽接地…...16 3.3 电缆和屏蔽旁路………………..16 4 总结…………………………………………17 5 参考文献………………………17
上传时间： 2013-10-24
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随着高频微波在日常生活上的广泛应用，例如行动电话、无线个人计算机、无线网络等，高频电路的技术也日新月异。良好的高频电路设计的实现与改善，则建立在于精确的组件模型的基础上。被动组件如电感、滤波器等的电路模型与电路制作的材料、制程有紧密的关系，而建立这些组件等效电路模型的方法称为参数萃取。 早期的电感制作以金属绕线为主要的材料与技术，而近年来，由于高频与高速电路的应用日益广泛，加上电路设计趋向轻薄短小，电感制作的材质与技术也不断的进步。例如射频机体电路（RFIC）运用硅材质，微波集成电路则广泛的运用砷化镓（GaAs）技术；此外，在低成本的无线通讯射频应用上，如混合（Hybrid）集成电路则运用有机多芯片模块（MCMs）结合传统的玻璃基板制程，以及低温共烧陶瓷（LTCC）技术，制作印刷式平面电感等，以提升组件的质量与效能，并减少体积与成本。 本章的重点包涵探讨电感的原理与专有名词，以及以常见的电感结构，并分析影响电感效能的主要因素与其电路模型，最后将以电感的模拟设计为例，说明电感参数的萃取。
上传时间： 2013-11-20
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利用v自步离散法，得到变换器输入控制变量与状态变量之间的直接映射关系，基于混杂系统理论分析系统的动态方程，建立其分段仿射模型。在此模型的基础上，结合非线性预测控制算法，通过模型预测系统的输出，利用反馈校正误差，给出二次型性能指标的优化计算方法，并由此设计预测控制器。最后，以Buck功率变换器为研究对象，通过与峰值电流控制算法的仿真结果进行比较，验证模型的正确性以及控制器设计的有效性。
上传时间： 2013-10-30
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为了提高Forward变换器非线性系统的控制性能，采用了精确线性化控制方法。首先采用开关函数和开关周期平均算子建立适合微分几何方法的仿射非线性系统模型。从理论上证明了该模型满足系统精确线性化的条件。对非线性坐标变换后得到的线性系统，利用二次型最优控制策略推导出非线性状态反馈控制律。实验结果表明，系统具有良好的静态和动态性能，验证了该控制方法的有效性和正确性。
上传时间： 2013-11-10
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上传时间： 2014-09-08
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6 GEMS压力变送器3000系列-超高压变送器 GEMS压力变送器3000的行业应用： 船舶、工程机械 产品特点： ■工作压力可高达10,000PSI ■高精度-在整个应用过程中,精度在±0.15%之内 ■高稳定性-长期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震动性能-采用了薄膜溅射式设计,取消了易破的连接线 GEMS压力变送器3000的性能参数 精度 0.15%FS 重复性 0.03%FS 长期稳定性 0.06%F.S/年 压力范围 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐压 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂压力 7xFS 4xFS,对于10,000psi 疲劳寿命 108次满量程循环 零点公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,响应时间0.5毫秒 温度影响 温漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS压力变送器3000的环境参数 振动 正弦曲线,峰值70g,5～5000HZ(根据MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 电压输出 电路 见PDF文件(3线) 激励 高于满程电压1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小环路电阻 (FS输出/2)Kohms 供电灵敏度 0.01%FS/Volt 电流输出 电路 2线 环路供电电压 24VDC(7-35VDC) 输出 4-20mA 最大环路电阻 (Vs-7)x50Ω 供电灵敏度 0.01%FS/V 比率输出 输出 0.5v到4.5v(3线)@5VDC供电 输出激励电压 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS压力变送器3000的物理参数 壳体 IP65代码G(NEMA4);IP67代码F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不锈钢 电气连接 见订货指南 压力连接 1/4″NPT或G1/4 重量(约) 110g(电缆重量另加:75g/m) 机械震动 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的稳定加速度时1bar(15psi)量程变送器的输出会波动0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)时输出波动会按对数递减至0.0007%FS/g. 认证等级 CE
上传时间： 2013-10-09
上传用户：sdfsdfs1
本发明的LED 光源包含矩形的LED 芯片和内藏该芯片的透明树脂封装体。树脂封装体具有用于将LED 芯片发出的光射出到封装体的外部的镜界面。
上传时间： 2013-12-14
上传用户：kernor
吉时利强大的开关系统使得为任何应用配置最优化的解决方案变得简单，可以提供标准的或者定制化的解决方案。无论应用需要开关矩阵或者多路复用器，或者设计常规的DC、RF、微波、光电或者数字I/O信号等，吉时利都为您提供高性能、低成本的各种解决方案。
上传时间： 2013-11-02
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件，微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数（如激射波长、噪声性能、模式跳动）的变化，这些变化直接影响器件的安全工作和应用要求。 本公司设计和生产的半导体激光电源LDD-AAVV-T是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源方案，选用优质元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，并具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。LDD-AAVV型半导体激光电源采用单片机管理和控制，是一种智能化高精度恒流型开关电源，可作为半导体激光打标机的配套电源。针对激光打标设备的特点，电源还可管理水泵、指示光、振镜和Q开关几部分的开关。电源有LCD液晶显示，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的显示，具备过压、过流、水温和水压报警功能，实为半导体激光器的理想电源。本电源还可以作为其它高精度恒流源，供设备使用。
上传时间： 2013-11-10
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