采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
1． 对薄膜形成与生长中相关物理过程及现象进行分析和建模。 2． 利用蒙特卡罗（Monte Carlo）方法和分子动力学（Molecular Dynamics）方法对薄膜形成与生长过程进行计算机模拟。 3． 对多孔硅形成的模拟。
标签： Molecular Dynamics Monte Carlo
上传时间： 2015-09-04
上传用户：Divine
用fortran和C写的薄膜生长模拟程序，可以模拟薄膜的二维和三维生长过程和形貌
上传时间： 2013-12-15
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计算多层薄膜反射率程序，适用于光学薄膜设计或薄膜测量
上传时间： 2016-01-11
上传用户：windwolf2000
薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）具有重量轻、平板化、低功耗、无辐射、显示品质优良等特点，其应用领域正在逐步扩大，已经从音像制品、笔记本电脑等显示器发展到台式计算机、工程工作站（EWS）用监视器。对液晶显示器的要求也正在向高分辨率、高彩色化发展。
上传时间： 2016-01-20
上传用户：jcljkh
用89C52制作太阳电池数显充放电控制器原程序.说明：70H内存单元存放采样值，78H-7AH存放显示的BCD码数据；自然就依次为个位、十位和百位，模数转换器是ADC0809
上传时间： 2014-09-04
上传用户：zaizaibang
通过测量光学薄膜的反射率曲线反演其光学常数，包括厚度与折射率
上传时间： 2016-05-23
上传用户：源码3
(can)表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响
上传时间： 2016-09-04
上传用户：frank1234
Matlab光学设计程序 给出了一种光学设计的程序,对光学薄膜设计的人很有用
上传时间： 2017-04-11
上传用户：362279997
本程序是使用有限时域差分法模拟电磁波在光学薄膜中的传输，加入边界条件。运用matlab显示结果
上传时间： 2017-04-21
上传用户：hzy5825468
