IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片,它采用高度集成的电平转换技术,大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求,同时提高了驱动电路的可靠性[1]。对于我设计的含有ZCS环节的单相光伏逆变电路中有6个IGBT,只需要3片芯片即可驱动,通过dsp2812控制实现软开关和逆变的功能,同时只需要提供3.3 V,12 V的基准电压即可工作,在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目,降低了产品成本,提高了系统可靠性。
上传时间: 2014-01-05
上传用户:tom_man2008
SM7523是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能的原边反馈控制功率开关芯片,在全电压输入范围内实现高精度恒流输出,精度小于±3%,无需环路补偿,并可使系统节省光耦,TL431以及变压器辅助绕组等元件,降低成本。 芯片内部集成了逐周期峰值电流限制,FB过压保护,输出开/短路保护和开机软启动等保护功能,以提高系统的可靠性。
上传时间: 2013-11-14
上传用户:410805624
随着科技的发展及工业现代化,环境污染是当前国际性问题。蓄电池是人类研制出的性能优异的储能设备,还有IT产品的大量应用。市场上对蓄电的需求量越来越大。而每个厂家的产品质量不同,需要对电池的循环寿命进行检测。本课题设计了基于TMS320F2812 的DSP芯片为控制中心,由高性能的A/D转换器TLC2543和D/A转换器MAX538等构成的蓄电池循环寿命检测系统。同时易于计算机相连,形成一个自动的检测网络。而且按相关的标准进行放电,研究发现取得了很好的效果。
上传时间: 2014-12-24
上传用户:tianming222
钲铭科SM8015是一个离线式中大功率电流模式PWM控制芯片,应用于AC/DC反激式开关电源系统。采用多模式自动切换控制方式,满足系统的低待机功耗(<0.3W,265V AC),高转换效率的要求。内部集成过流保护、过载保护、过温保护、VDD过压保护等完善的保护功能以提高系统可靠性。封装形式:DIP8、SOP8
上传时间: 2013-10-27
上传用户:windypsm
钲铭科SM8013C是一款电流模式的PWM离线式控制芯片,直接驱动外部高压MOS管。采用自适应多模式工作方式,根据负载情况,自动切换到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,满足系统的低待机功耗(<0.3W,265V AC),高转换效率的要求。内部集成多种保护功能,如过流保护、过载保护、VDD过压保护和VDD欠压保护等多种保护。封装形式:DIP8、SOP8、SOT23-6
上传时间: 2013-12-08
上传用户:dyctj
钲铭科SM8012是一款电流模式的PWM离线式控制芯片,内置高压开关MOS管。采用自适应多模式工作方式,根据负载情况,自动切换到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,满足系统的低待机功耗(<0.3W@265V AC),高转换效率的要求。内部集成多种保护功能,如过流保护、过载保护、VDD过压保护和VDD欠压保护等多种保护。封装形式:DIP8
上传时间: 2013-11-24
上传用户:wwwe
SM7503是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片,在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出,精度均小于±3℅,并可使系统节省光耦和TL431等元件,降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能,以提高系统的可靠性。封装形式:SOP8
上传时间: 2013-10-08
上传用户:李哈哈哈
SM7505是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片,在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出,精度均小于±3℅,并可使系统节省光耦和TL431等元件,降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能,以提高系统的可靠性。内置输出线压降补偿和前沿消隐电路(LEB),SOP8的封装形式。主要应用于LED照明驱动,小功率电源配适器,电脑、电视等产品的辅助电源或待机电源等
上传时间: 2013-12-12
上传用户:咔乐坞
该系统采用STM32F103作为主控芯片,通过CAN总线控制多个电源模块并联工作并使其电流平均,达到大功率输出的目的。系统具有多种工作模式和外设接口,人机界面友善。实际应用表明,系统工作稳定,达到设计要求。
上传时间: 2013-11-09
上传用户:黄蛋的蛋黄
本论文系统研究了系统级封装的电源完整性分析,电源分布网络设计以及三维混合芯片堆叠引起的近场耦合问题。对封装级PDN结构设计,宽频带、高隔离深度的噪声隔离抑制技术以及新型混合芯片三维堆叠屏蔽结构进行了重点研究上。
上传时间: 2013-11-08
上传用户:gaome