·电磁干扰排查及故障解决的电磁兼容技术
上传时间: 2013-06-30
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PCB的电磁兼容设计,43页PPT超详细讲解!
上传时间: 2013-06-16
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小信号放大器的设计 1. 放大器是射频/微波系统的必不可少的部件。 2. 放大器有低噪声、小信号、高增益、中功率、大功率等。 3. 放大器按工作点分有A、AB、B、C、D…等类型。 4. 放大器指标有:频率范围、动态范围、增益、噪声系数、工作效率、1dB压缩点、三阶交调等
上传时间: 2013-07-23
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目前,被广泛使用的经典边缘检测算子有Sobel算子,Prewitt算子,Roberts算子,Log算子,Canny算子等等。这些算子的核心思想是图像的边缘点是相对应于图像灰度值梯度的局部极大值点。然而,当图像中含有噪声时这些算子对噪声都比较敏感,使得将噪声作为边缘点。由于噪声的干扰,不能检测出真正的边缘。一个拥有良好属性的的边缘检测算法是每个研究者的追求。利用小波交换的特点,设计了三次B样条平滑滤波算子。通过利用这个算子,对利用小波变换来检测图像的边缘进行了一定的研究和理解。
上传时间: 2013-10-13
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2012TI杯陕西赛题H题,2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路.
上传时间: 2013-10-07
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电磁阀设计中电磁力的工程计算方法
上传时间: 2013-11-21
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间: 2013-10-21
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通过分析机载设备对机箱的设计要求,得出了机载设备机箱屏蔽设计包括机箱材料选择和保证屏蔽完整性两方面的结论,并进一步给出了机载设备机箱结构上关于盖板、通风孔、导线穿透和开口、缝隙处理等方面电磁屏蔽设计的方法和技术措施。
上传时间: 2013-12-11
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为了提高电子设备、仪表的工作性能等指标,针对电源、暂态过程、电磁辐射几种常见干扰源从他的干扰因素和特点出发,采用滤波器、加静电屏蔽、吸收、电磁屏蔽等措施抑制干扰源的影响。在应用中可根据实际需要进行选择。
上传时间: 2013-10-10
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安森美针对家庭娱乐应用的解决方案
上传时间: 2013-11-24
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