数字超声诊断设备在临床诊断中应用十分广泛，研制全数字化的医疗仪器已成为趋势。尽管很多超声成像仪器设计制造中使用了数字化技术，但是我们可以说现代VLSI 和EDA 技术在其中并没有得到充分有效的应用。随着现代电子信息技术的发展，PLD 在很多与B 型超声成像或多普勒超声成像有关的领域都得到了较好的应用，例如数字通信和相控雷达领域。 在研究现代超声成像原理的基础上，我们首先介绍了常见的数字超声成像仪器的基本结构和模块功能，同时也介绍了现代FPGA 和EDA 技术。随后我们详细分析讨论了B 超中，全数字化波束合成器的关键技术和实现手段。我们设计实现了片内高速异步FIFO 以降低采样率，仿真结果表明资源使用合理且访问时间很小。正交检波方法既能给出灰度超声成像所需要的回波的幅值信息，也能给出多普勒超声成像所需要的回波的相移信息。我们设计实现了基于直接数字频率合成原理的数控振荡器，能够给出一对幅值和相位较平衡的正交信号，且在FPGA 片内实现方案简单廉价。数控振荡器输出波形的频率可动态控制且精度较高，对于随着超声在人体组织深度上的穿透衰减，导致回波中心频率下移的声学物理现象，可视作将回波接收机的中心频率同步动态变化进行补偿。 还设计实现了B 型数字超声诊断仪前端发射波束聚焦和扫描控制子系统。在单片FPGA 芯片内部设计实现了聚焦延时、脉宽和重复频率可动态控制的发射驱动脉冲产生器、线扫控制、探头激励控制、功能码存储等功能模块，功能仿真和时序分析结果表明该子系统为设计实现高速度、高精度、高集成度的全数字化超声诊断设备打下了良好的基础，将加快其研发和制造进程，为生物医学电子、医疗设备和超声诊断等方面带来新思路。
上传时间： 2013-05-30
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·《手把手教你学单片机的C程序设计》及实验程序作 者：周兴华编著出 版 社：北京航空航天大学出版社出版时间： 2007-10-1字 数： 570000版 次： 1页 数： 345印刷时间： 2007/10/01I S B N ： 9787811242140包 装： 平装内容简介以实践为主线，以生动短小的实例为灵魂，穿插介绍C语言的语法及其针对单片机的特别定义，使理论与实践结合，使读者掌握单
上传时间： 2013-08-01
上传用户：小杨高1
·作 者： [美]Douglas Boling 著出 版 社： 北京大学出版社出版时间： 1999-8-1字 数： 1040000版 次： 1页 数： 746印刷时间： 1999/08/01开 本：印 次：纸 张： 胶版纸I S B N ： 9787301041864 内容简介我是在1996年秋MicrosoftWindows CE发行之前开始了解这个软件的。作为
上传时间： 2013-07-09
上传用户：cc111
·详细说明：DTMF编码芯片HT9200的51接口程序。输入参数R2表示发送数据个数，输入数据与发送数据与DTMF码的关系:00H-0 01H-1 02H-2 03H-3 04H-4 05H-5 06H-6 07H-7 08H-8 09H-9 0AH-A 0BH-B 0CH-C 0DH-D 0EH-* 0FH-#。详细说明参考文件内.
上传时间： 2013-06-02
上传用户：jujiast99
小信号放大器的设计 1. 放大器是射频/微波系统的必不可少的部件。 2. 放大器有低噪声、小信号、高增益、中功率、大功率等。 3. 放大器按工作点分有A、AB、B、C、D…等类型。 4. 放大器指标有：频率范围、动态范围、增益、噪声系数、工作效率、1dB压缩点、三阶交调等
上传时间： 2013-07-23
上传用户：yulg
苏泊尔C21S02-B电磁炉电路图,红线标注，重点模块说明！
上传时间： 2013-06-22
上传用户：huangzr5
目前，被广泛使用的经典边缘检测算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。这些算子的核心思想是图像的边缘点是相对应于图像灰度值梯度的局部极大值点。然而，当图像中含有噪声时这些算子对噪声都比较敏感，使得将噪声作为边缘点。由于噪声的干扰，不能检测出真正的边缘。一个拥有良好属性的的边缘检测算法是每个研究者的追求。利用小波交换的特点，设计了三次B样条平滑滤波算子。通过利用这个算子，对利用小波变换来检测图像的边缘进行了一定的研究和理解。
上传时间： 2013-10-13
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2012TI杯陕西赛题H题,2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路.
上传时间： 2013-10-07
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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安森美针对家庭娱乐应用的解决方案
上传时间： 2013-11-24
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