📚 结温技术资料

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结温是衡量半导体器件内部温度的关键参数，直接影响着电子设备的性能与寿命。掌握结温控制技术对于提高电路稳定性、延长产品使用寿命至关重要。本页面汇集了1083份精选资源，涵盖从基础理论到实际应用案例，帮助工程师深入理解结温对功率MOSFET、IGBT等元件的影响，并提供有效散热解决方案。无论是初学者还是资深开发者，都能在这里找到宝贵的学习资料和技术支持。

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在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...

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p-n 隧道 击穿 模型研究

本程序基于约瑟夫森结的RSJ模型，对无微波辐照和微波辐照下约瑟夫森结的特性进行了数值计算求解，其中有微波辐照的RSJ模型求解采用了四阶龙格库塔方程函数，两种情况都给出了I-V特性曲线图（程序包中也附带），展现了量子化电压台阶。...

👤 gxrui1991 ⬇️ 32 次下载
RSJ 程序 模型

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