结构体的具体尺寸如下所示：a=1.20h=0.620其中介质锥的介电常数E=2.0。选定工作频率为f=15GHz相对应的真空中的波长为0=20mm，这样结构体的儿何尺寸己经完全确定，下面介绍求解的全过程选定求解方式为（Solution Type）Driven modal1.建立所求结构体的几何模型（单位：mm）。由于此结构体的几何形状较简单，使用工具栏中的Draw命令可直接画出，这里不再赘述述。画出的结构体如图4.1.2所示。2.充结构体的材料选定结构体中的锥体部分，添加其介电常数Er=20的介质材料注：如果HSS中没有提供与所需参数完全相同的材料，用户可以通过新建材料或修改已有材料，使其参数满足用户需求设定结构体的边界条件及其激励源a.选定结构体的贴片部分，设定其为理想导体（PerE）。b.画出尺寸为X×Y×Z=70mm×70mm×40mm的长方体作为辐射边界，并设定其边界条件为辐射边界条件（Radiation Boundary）。c.由于要求出结构体的RCS，因此设定激励源为平面入射波（Incident Wave Source）。如图4.1.3所示。4.设定求解细节，检验并求解a.设定求解过程的工作频率为f=15GHz.其余细节设定如图4.1.4所示。b.设定远区辐射场的求解（Far Field Radiation Sphere栏的设定）。c.使用 Validation check命令进行检验，无错误发生，下一步运行命令 Analyze，对柱锥结构体进行求解。如图4.1.5和4.1.6所示。
上传时间： 2022-03-10
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产品型号：VK2C21A/B/C/D 产品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微电 封装形式：SOP28/24/20/16 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用） 产品年份：新年份 联 系 人：许硕 原厂直销，工程服务，技术支持，价格最具优势！ VK2C21A/B/C/D概述： VK2C21是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大80点（20SEGx4COM）或者最大128点（16SEGx8COM）的LCD屏。单片机可通过I2C接口配置显示参数和读写显示数据，也可通过指令进入省电模式。其高抗干扰，低功耗的特性适用于水电气表以及工控仪表类产品。 特点： ★ 工作电压 2.4-5.5V ★ 内置32 kHz RC振荡器 ★ 偏置电压（BIAS）可配置为1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置为1/4、1/8 ★ 内置显示RAM为20x4位、16x8位 ★ 帧频可配置为80Hz、160Hz ★ 省电模式（通过关显示和关振荡器进入）
标签： 21 VK2C C21 LCD VK2 VK 2C 存储器 多功能 映射
上传时间： 2022-04-08
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作者：Dominique D. Guinard，Vlad著出版社：电子工业出版社出版日期：2018-01-01索书号：TP393/2752标准编码：9787121327643 物联网的潜能绝不止于解决特定场景的小问题，而是用务实|结构化的方法论来构建大型系统、实现创新、重建秩序。√ IoT 离不开更大图景及完整生态，作者要用超前视野和大局观，解决无数工具|标准|协议及云服务构成的高度碎片化。√ 易读到物联网新手可按图索骥建立一个完整的端到端物联网；深刻到创建完所有元素后你已成为熟练的物联网开发者。 本书是介绍万维物联网的入门教材。作者通过将树莓派作为物理设备网关，提出一种构建万物互联的可行方案——利用现有的万维网标准、协议，以及HTML、CSS 和技术，让智能产品终端成为开放的万维网的一部分，终形成物联网和万维网的结合体——万维物联网。本书分为两个部分，章到第5 章是第I 部分，内容涵盖万维物联网基本概念、和Node.js 介绍，通过一个简单的例子来说明如何使用Node.js 的Web 框架与远程设备进行交互。第6 章到0 章是第II 部分，详细介绍万维物联网技术栈中的各层架构及如何用现有的Web 技术实现各层架构，终能够形成物理网聚合应用，能够快速创建复杂应用程序，整合各种设备和数据。本书涉猎的技术范围广泛，包括各种Web 和物联网协议、Web 标准及树莓派的原理与实践。适合之前没有丰富嵌入式开发经验，但希望探索物联网世界的Web 开发人员阅读，也适合作为一本初级教程指导树莓派开发者和Node.js 爱好者进行物联网开发实践。
上传时间： 2022-04-28
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文都教育·考研数学接力题典1800每一个考研知识点作者编排了相应的通关题、高分题、夺冠题，不同种类的题目训练不同的能力。通关题重在练习掌握基本概念、基本知识、基本方法的程度，提高对基本内容的熟练与深入；高分题重在综合能力及解题技巧的训练，提高运用知识的能力；夺冠题难度较大，不仅练习数学知识的综合运用，而且其对复杂计算、创造性技巧等方面均有涉及。通过本书逐层提高的训练，考生能大幅度提高解题能力与应试水平。硕士研究生入学统考数学试卷分为三种，分别为数学一、数学二、数学三，各卷中试卷题型结构均为选择题、填空题和解答题（包括计算题、证明题、应用题等），其中客观题（选择题及填空题）占56分左右，主观题（解答题）占94分左右。由于考研数学复习内容广泛，基本概念、基本公式、基本方法多，同时强调计算能力、逻辑推理能力、抽象思维能力、空间想象能力及综合运用所学知识解决实际问题的能力，所以对于广大考生而言，要在复习过程中做到牢固掌握基础知识并且融会贯通就显得很棘手，拥有一本能够通过分层递进习题训练实现基础知识的掌握和解题的方法技巧的同步提高，帮助同学们最终取得高分的复习参考书成为广大学子的迫切要求。 本书是编者在长期进行考研数学授课和对最新数学考试大纲深入研究的基础上，根据考试命题的重点和考生的弱点，从广大考生的实际要求出发精心编写而成的。全书分为高等数学、线性代数、概率统计三大部分（其中数学二对概率统计不做要求），每一部分的各个专题的题目都将知识要点系统融入问题之中，帮助考生在做题的过程中进一步加深对知识点，基本原理和基本方法技巧的理解和掌握。
标签： 考研数学
上传时间： 2022-05-28
上传用户：shjgzh
文都教育·考研数学接力题典1800每一个考研知识点作者编排了相应的通关题、高分题、夺冠题，不同种类的题目训练不同的能力。通关题重在练习掌握基本概念、基本知识、基本方法的程度，提高对基本内容的熟练与深入；高分题重在综合能力及解题技巧的训练，提高运用知识的能力；夺冠题难度较大，不仅练习数学知识的综合运用，而且其对复杂计算、创造性技巧等方面均有涉及。通过本书逐层提高的训练，考生能大幅度提高解题能力与应试水平。硕士研究生入学统考数学试卷分为三种，分别为数学一、数学二、数学三，各卷中试卷题型结构均为选择题、填空题和解答题（包括计算题、证明题、应用题等），其中客观题（选择题及填空题）占56分左右，主观题（解答题）占94分左右。由于考研数学复习内容广泛，基本概念、基本公式、基本方法多，同时强调计算能力、逻辑推理能力、抽象思维能力、空间想象能力及综合运用所学知识解决实际问题的能力，所以对于广大考生而言，要在复习过程中做到牢固掌握基础知识并且融会贯通就显得很棘手，拥有一本能够通过分层递进习题训练实现基础知识的掌握和解题的方法技巧的同步提高，帮助同学们最终取得高分的复习参考书成为广大学子的迫切要求。 本书是编者在长期进行考研数学授课和对最新数学考试大纲深入研究的基础上，根据考试命题的重点和考生的弱点，从广大考生的实际要求出发精心编写而成的。全书分为高等数学、线性代数、概率统计三大部分（其中数学二对概率统计不做要求），每一部分的各个专题的题目都将知识要点系统融入问题之中，帮助考生在做题的过程中进一步加深对知识点，基本原理和基本方法技巧的理解和掌握。 数学的复习是一个循序渐进的过程，同学们复习时一定要先把基本概念、基本公式、基本原理掌握好，然后做一些基础练习（在每年的试题中基本题型占有相当大的比例，切忌一开始就好高骛远），掌握好基础后再通过综合题型的训练进一步掌握各种方法和技巧，从而大幅度提高解题能力和应试水平，这也是本书的出发点和目的所在。
标签： 考研数学
上传时间： 2022-05-28
上传用户：bluedrops
摘要：随荐电力电子设备、交直流电弧炉和电气化铁道等非线性、冲击性负荷的大量接入电网，引起了电网无功功率不足、电压波动与闪变、三相供电不平衡以及电压电流波形畸变等其它一系列电能质景问题，并严重威胁着电力系绕的安全稳定运行。首先，本文介绍了无功功率的基本概念，介绍了无功功率对电力系统的影响以及无功补偿的作用，并详尽的闸述了国内外无功补偿装置的历史以及现状。其次，本文详细分析了静止无功补偿器（SVC）和静止无功发生器（SVC）的基本结构，控制方法和工作原理，以及各自优特点。并且阐述了它们的工作特性。再次，本文着重进行了对SVG型静止无功补偿器提高系统电压的理论研究。利用MATLAB/SIMLINK仿真软件对SVG工作方式及利用SVG动态提高系统电压的原理进行仿真研究。并对仿真结果进行了全面外析VRe，本完成了（利t功补t控制器的设计，该控a器a系统硬件上采用了由STC生产的STCIOFO8X单片机作为主控制器。采用ATT7022作为电能检测芯片，实现电网参数的精确深样与计算，在系统软件上采用品刚管控制投切电容器，实现了电容器的快速，无弧的投切。采用全中文液品显示界面实时显示系统运行状况.关；无，SVG，svc，STC10FO8X随着现代电力电子技术的飞速发展，大量大功率、非线性负荷的接入电网中，使得电网供电质量受到了严重的威胁。特别是一些像电弧炉、轧机、整流桥等非线性和冲击性负荷的大量使用是导致电能质量恶化的最主要来源，造成了一系列严重的影响理想状态的电力供应要求频率为50Hz，电压幅值稳定在额定值的标准正弦波形。在三相电网供电系统中，A，B.C三相电压电流的幅值大小相等、相位差依次落后120度。但当电力用户的各种用电装置接入电力系统后，电力供应由理想的电力供应变成了电压电流偏离这种状态的非理想状态。电网中的许多用电负荷都具有低功率因数、非线性、不平衡性和冲击性的特征，这些特征严重地危害着电网的电力供应，可表现在：电压值跌落或浪涌、各次谐波含量大、电压波形发生闪变、电压电流波形失真等，这样便出现了电能质量问题。实际电网中的电能质量问题主要表现如下：
上传时间： 2022-06-17
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本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过和国内某知名代工线合作，完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论，然后结合代工线的特点，进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计，最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为：先进行器件背面的FS层制作，然后进行正面结构（包括元胞和终端）的制作，最后再进行背面的P+区注入和金属化。2、对流片获得的600V FS-IGBT器件进行了主要电学参数的测试和分析。测试结果为：耐压大于700V、正向导通压降低于1.15V、阈值电压4.1-4.5V。满足设计要求。/本论文的研究成果对于促进我国FS结构IGBT的研究和产业化具有很好的参考价值，通过进一步改进工艺及结构，提高产品良率，最终可以形成有竞争力的产品。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
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MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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高性能低成本的图像采集和处理系统在自动测量、设备检测、安全监控等工业测控领域需求巨大。相比于CMOS图像传感器，CCD图像传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制以及技术成熟度等方面具有明显优势。发达国家对于基于CCD图像传感器的高性能图像采集和处理系统的开发已经具有了一定的经验和成功先例，而在我国，相关的技术开发还比较薄弱。因此，通过对基于CCD图像传感器的高性能图像采集和处理系统进行研究和开发，迅速掌握核心技术，积累必要的技术储备和经验，对满足我国在相关领域的需求有着重要意义。本文研究了CCD图像传感器的发展历程、结构及工作原理、性能特点，并与CMOS图像传感器进行了比较。详细分析了SONY公司的大面阵CCD图像传感器，并以此器件为核心完成了图像采集和处理系统的设计。选用CYPRESS公司的LC4256V型CPLD（Complex Programmable Logic Device）芯片和TI公司的MSP430F149型MCU（Micro Controller Unit）芯片共同构成系统的核心处理平台。以CPLD为设计载体，使用Verilog硬件描述语言实现了驱动时序设计，完成了对CCD图像传感器的控制。对CYPRESS公司的CY7C68013型USB器件进行了固件程序、驱动程序和应用程序开发，实现了高速数据传输。硬件上采用了模块化设计，并充分考虑了抗干扰措施。实际测试表明，上述系统工作稳定，具有良好的灵活性和可扩展性。
上传时间： 2022-06-23
上传用户：kingwide
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
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