数年以来，逐次逼近型ADC一直是数据采集系统的主要依靠
上传时间： 2013-10-28
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晶体管电路设计
上传时间： 2013-10-16
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针对混频器在接收机电路中的重要性，设计实现了一种基于F1596的乘积型混频器电路。为使该电路能够输出频率稳定的信号，在电路设计中采用鉴频器取样控制VCO产生的本振信号，使该电路具有频谱纯净、失真度小、输出稳定等优点，满足了接收机混频器的使用要求。
上传时间： 2014-01-18
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针对准确测量油气水多相流各分相含量的问题，采用了电容层析成像技术完成油气水多相流各分相含量测量。通过仿真分析了采用有限元分析方法的电极间的灵敏度特性，探讨了测量中的"软场"特性；结合灵敏度的分析，对单元滤波图象重建进行了仿真对比，得到单元滤波对图像重建有很大的改善。说明采用电容层析成像技术测量各分相含量的方案是可行的。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：hustfanenze
文中简要介绍了电流型运放的特性，着重对电流型运放的应用电路进行测试，研究电流型运放的应用特性。实验中，选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器，通过对此3类应用电路的测试，分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响，为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器提供参考。
上传时间： 2013-10-18
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晶体管及其放大电路
上传时间： 2013-11-23
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晶体管的结构及性能
上传时间： 2013-10-11
上传用户：dudu1210004
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
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所有MEMS麦克风都具有全向拾音响应，也就是能够均等地响应来自四面八方的声音。多个麦克风可以配置成阵列，形成定向响应或波束场型。经过设计，波束成形麦克风阵列可以对来自一个或多个特定方向的声音更敏感。麦克风波束成形是一个丰富而复杂的课题。本应用笔记仅讨论基本概念和阵列配置，包括宽边求和阵列和差分端射阵列，内容涵盖设计考虑、空间和频率响应以及差分阵列配置的优缺点。
上传时间： 2013-10-17
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晶体管电路设计(上).pdf
上传时间： 2013-10-22
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