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结型<b>场效应</b>晶体管

  • 本程序使用于爱思51-B型高级用户板功能测试及演示,是用asm写的

    本程序使用于爱思51-B型高级用户板功能测试及演示,是用asm写的,有要的朋友可以下下,

    标签: asm 51 程序 用户

    上传时间: 2015-08-26

    上传用户:lmeeworm

  • 基于MSP430系列单片机的软件实时时钟(RTC)代码,使用定时器B为中断源,时间变量使用字符型变量储存,便于直接输出数字

    基于MSP430系列单片机的软件实时时钟(RTC)代码,使用定时器B为中断源,时间变量使用字符型变量储存,便于直接输出数字

    标签: MSP 430 RTC 变量

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:hzy5825468

  • 郑州远博公司生产的单片机B型实验板电路原理图及配套源程序代码

    郑州远博公司生产的单片机B型实验板电路原理图及配套源程序代码,它对学习单片机C语言编程有很好的作用。

    标签: 单片机 代码 实验板 电路原理图

    上传时间: 2017-02-24

    上传用户:ryb

  • ①把settle定义成char型变量 ②settle=(settle>= A && settle <= B ) 写错了

    ①把settle定义成char型变量 ②settle=(settle>= A && settle <= B ) 写错了,改成(settle>= A && settle <= Z ) ③scanf函数后面加一句getchar()用来吸收回车键

    标签: settle char gt lt

    上传时间: 2017-04-21

    上传用户:moshushi0009

  • 钟型隶属函数-b参数变化钟型隶属函数-b参数变化

    钟型隶属函数-b参数变化钟型隶属函数-b参数变化

    标签: 函数 参数 变化

    上传时间: 2014-11-12

    上传用户:whenfly

  • B型剩余电流保护器设计

    随着光伏发电系统快速发展,以及电动汽车充电桩的普及,传统的剩余电流保护器无法满足实际需求。介绍了一款B型剩余电流保护器,采用磁调制剩余电流互感器和零序电流互感器采集剩余电流。根据GB/T 22794—2017标准要求,可识别1 kHz及以下的正弦交流、带和不带直流分量的脉动直流、平滑直流等剩余电流信号。经信号调理电路将电压信号送到单片机进行采集和判断。通过试验测试,该样机在测试精度和速度上均符合国家标准的相关要求。The rapid development of photovoltaic power generation systems and the popularity of electric vehicle charging piles make the traditional residual current protective devices unable to meet the actual demand.This paper proposed a type B residual current protective device,which uses the magnetically modulated residual current transformer and the zero sequence current transformer to acquire the residual current.According to the requirements of GB/T 22794—2017,the type B residual current protective device can detect sinusoidal AC residual current of 1kHz and below 1kHz,pulsating DC residual current with and without DC component,smooth DC residual current and so on.The signal processing circuit sends the voltage signal to the MCU for acquisition and judgment.Through experimental tests,the device meets the relevant requirements of national standards in terms of test accuracy and speed.

    标签: 电流保护器

    上传时间: 2022-03-27

    上传用户:

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291

  • A) 实现虚拟存储B) 实现对文件的按名存取C) 实现对文件的按内容存取D) 实现对文件的 高速输入输出(17) 分页显示当前文件 ... A) 执行SPLIB B) 执行SPDOS C) 装载拼音模

    A) 实现虚拟存储B) 实现对文件的按名存取C) 实现对文件的按内容存取D) 实现对文件的 高速输入输出(17) 分页显示当前文件 ... A) 执行SPLIB B) 执行SPDOS C) 装载拼音模块D) 装载五笔字型输入模块(32) 在汉字输入状态下,按下Shift+a组合键后,输入了__。

    标签: SPLIB SPDOS 存取 17

    上传时间: 2013-12-23

    上传用户:zhoujunzhen

  • 剖析Intel IA32 架构下C 语言及CPU 浮点数机制 Version 0.01 哈尔滨工业大学 谢煜波 (email: xieyubo@126.com 网址:http://purec.b

    剖析Intel IA32 架构下C 语言及CPU 浮点数机制 Version 0.01 哈尔滨工业大学 谢煜波 (email: xieyubo@126.com 网址:http://purec.binghua.com) (QQ:13916830 哈工大紫丁香BBSID:iamxiaohan) 前言 这两天翻看一本C 语言书的时候,发现上面有一段这样写到 例:将同一实型数分别赋值给单精度实型和双精度实型,然后打印输出。 #include <stdio.h> main() { float a double b a = 123456.789e4 b = 123456.789e4 printf(“%f\n%f\n”,a,b) } 运行结果如下:

    标签: Version xieyubo Intel email

    上传时间: 2013-12-25

    上传用户:徐孺

  • 设B是一个n×n棋盘

    设B是一个n×n棋盘,n=2k,(k=1,2,3,…)。用分治法设计一个算法,使得:用若干个L型条块可以覆盖住B的除一个特殊方格外的所有方格。其中,一个L型条块可以覆盖3个方格。且任意两个L型条块不能重叠覆盖棋盘

    标签:

    上传时间: 2013-12-16

    上传用户:脚趾头