基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量
提出了一个考虑ＦＰ 效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中，截取多个反射回峰，以提高材料参数提取的精确度。另外，考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高，提出了一种有效的厚度优化方法。以ＧａＡｓ 为待测样品，利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱. ...
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