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基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量
基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量
测试测量
797 K
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2013-12-16
资源详细信息
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797 K
资源分类
测试测量
上传者
gbefg152
发布时间
2013-12-16 03:00
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基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量 - 资源详细说明
提出了一个考虑FP 效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度。另外,考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高,提出了一种有效的厚度优化方法。以GaAs 为待测样品,利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱.
基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量 - 源码文件列表
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基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测.pdf
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