无意中看到这个文章,现发上来和大家共享!
标签: 模拟电路
上传时间: 2013-07-20
上传用户:Alibabgu
单片机和c语言多个项目的经验总结,共享。
上传时间: 2013-07-29
上传用户:zhf1234
sst单片机程序烧写软件,免费共享,无需积分,希望你们喜欢!!
上传时间: 2013-07-31
上传用户:myworkpost
单片机编写音乐程序基础知识,自己收集资料后自己敲键盘打的,觉得非常有价值,我受益匪浅,希望会对单片机初学者有所帮助,共享一下
上传时间: 2013-04-24
上传用户:lty6899826
几个关于CPLD和CAN总线的资料,和大家共享
上传时间: 2013-08-08
上传用户:hz07104032
买的开发板上自带的例程,上传与电子爱好的共享
上传时间: 2013-08-13
上传用户:whymatalab2
用VHDL语言在FPGA上实现浮点运算,大家共享
上传时间: 2013-08-19
上传用户:epson850
FPGA与单片机通讯,资源多多共享,不亦乐乎!
上传时间: 2013-08-21
上传用户:hustfanenze
Keil 51和Proteus仿真LED,串口实例\r\n\r\n6个共阴极LED,还可仿真串口通讯,自己项目中的代码,吐血共享\r\n\r\n使用方法:\r\n1、用proteus打开ddb_stc51.DSN\r\n2、用keil打开ddb_stc51目录下的ddb_stc51.Uv2工程\r\n3、在keil中运行调试即可在proteus中查看调试结果,\r\n 串口仿真结果要用虚拟串口互联查看结果。\r\n
上传时间: 2013-09-24
上传用户:sardinescn
看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson就大了。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢?
标签: COOLMOS
上传时间: 2014-12-23
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