离子阱
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离子阱 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 500 篇文章，持续更新中。
射频激励铜离子激光器阻抗特性实验研究
<P>利用自行研制的传感器和测量装置,通过对射频放电电压电流以及其相位角的测定,结合放电管的等效电路,对射频激励激光器阻抗特性进行研究,得出射频激励激光器等离子体的伏安特性曲线,以及等离子体电阻、容抗
数字电视等离子体显示器通用规范
本规范规定了数字电视等离子体显示器（以下简称PDP 显示器）功能和性能的技术要求，检验规则、标志、包装、运输、贮存等的基本要求。<BR>本规范适用于数字电视等离子体显示器，是产品设计、生产定型、检验的
基于开路电压(OCV)的电量计设计
摘要：DS2786是基于开路电压(OCV)的电量计，可报告储存在锂离子(Li+)电池中的总电量。正常工作温度条件下，OCV是理想的锂离子(Li+)电池存储容量指示器。然而，由于电池阻抗随温度变化，实际
TI模拟电源新品集锦
1. BQ24031 - 具备动态电源路径管理、输出稳压至 6V 电池的双通道输入锂离子充电<BR>2. BQ25015 - 具有集成式同步降压转换器、输出可调的双输入充电器<BR>3. BQ2721
PPT426等离子电视电源维修资料
<P>PPT426等离子电视电源维修</P>
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在力学实验中采用光纤传感器的探讨
本文对等离子体波光纤传感器进行了理论分析和实验研究,并利用它研制了一种光纤引伸计。将光纤引伸计应用于力学实验,可以改进力学实验手段,提高力学教学水平。<BR>关键词 光纤传感器 引伸计 力学实验
基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究
<P>采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形<BR>成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成
无标记型免疫传感器的原理及其应用
无标记型免疫传感器能够直接测定生物样品,测定过程中无需预先对被测物进行标记,适应直接、实时、原位、在线的痕量免疫分析,已经广泛应用于临床医学、环境、制药、食品等分析领域中。表面等离子共振( SPR)型
等离子控制程序
等离子控制程序大沙发沙发上对方倒萨发的身份是东方士大夫撒旦
FPGA的发射光谱层析技术的研究
发射光谱层析（EST）技术是结合了辐射测量和光学层析技术所形成的光学层析技术（OCT）的一个分支，它是一种不干扰原待测场分布的测量诊断技术，它在热物理量测试、等离子体诊断等方面显示出了极大的优越性，尤其是在场分布测量方面，几乎是其它方法不可替代的，是测量三维流场内部物理量分布的一种常用方法。三维流场重建的流程分为数据采集和数据处理两部分，目前所使用的方法一般是在计算机上利用软件直接对采集到的标准格
智能化锂离子电池管理系统的设计与实现
采用国际先进的电源管理技术、单片微处理器监控技术、综合检测保护技术设计思想，实现对锂离子电池组进行充电、放电、管理、维护、保养的总体设计要求，满足用户操作简单、实用可靠的实际使用需求。本文给出了智能化
钠沸石/ 银离子玻璃NO2气敏传感器的性能
<P>钠沸石/ 银离子玻璃NO2 气敏传感器的性能:报道一种新型固态电解质NO2 气敏传感器,它以人工钠沸石材料为气敏固态电解质,新型银离子玻璃为气敏辅助性材料,溅射金膜为工作电极,埋藏于银离子玻璃中
锂离子电池的原理与应用
锂离子电池的原理与应用:简要综述了锂离子电池的发展历程，原理，应用及前景，侧重于基本原理以及与生活密切相关的应用。<BR>关键字 锂离子电池电池应用<BR>自从 1958 年美国加州大学的一位研究生提
锂离子电池
锂离子电池及微波在电池材料制备中的应用.pdf
离子源分布式控制系统设计
将NI 公司的可编程自动化控制器(PAC) Compact FieldPoint 应用于离子源系统控制中，可充分发其易于使用、可扩展性强、可重用度高以及具有实时的运载软件的平台，结合稳定的I/O 模块
HM一010型车削中心简介
HM一010型车削中心是上海第二机床厂利用成熟的数控车床制造技术开发的创新产品，该机床配置德国INDRAMAT等离子显示屏的数控系统及内置式主轴伺服电机，并配置德国SAUTER公司12工位的动力刀架。
晶体结构与性能的关系
晶体结构与性能的关系 目录：第一章对称性和晶体物理第二章材料中的电子输运第三章热性能与离子输运
充电电池和单机快速充电器概述
本应用笔记简单介绍了镍镉(NiCd)、镍氢 (NiMH)和锂离子(Li-Ion，Li+)可充电电池, 讨论它们的性能，并说明在不需要微控制器的情况下如何构建单机结构，安全、快速地为镍氢和锂离子电池充电
基于ISFET 的克咳敏传感器的研究
本文报道了一种测定克咳敏的新方法,用硅钨酸作为电活性物质,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合,制成药物敏感场效应晶体管传感器,测定克咳敏的线性范围为5. 0 ×10 - 2～5. 0 ×10 -
SUPREM-III进行集成电路离子注入的工艺模拟
随着集成电路工艺的不断发展，工艺模拟软件功能也在不断的改善，但不足之处也不<BR>断暴露出来，工艺模拟过程中没有考虑仪器本身影响。所以在工艺模拟中有必要建立一个模型，本文以离子注入工艺为例,研究沟道效