离子阱
共 4 篇文章
离子阱 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 4 篇文章，持续更新中。
什么是超电解电容器
什么是超级电容器? <BR><BR>◆ 超级电容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 <BR><BR>◆ 超级电容器可以被
用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制
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氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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