磁光效应

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对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大...

2024-07-08 2 磁光效应

提出了一种新型的光纤应变传感器,它是基于LD子混合干涉原理,作为探头的Fabry-Perot(F-P)腔的两个光纤增面都镀上反射膜。这两个端面的反射光返回到LD后,将在LD谐振腔中禅城自混合干涉,干涉

2024-02-29 2 磁光效应