📚 碳化硅器件技术资料

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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和...

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半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,对...

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