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碳化硅器件以其卓越的高温稳定性、高电压耐受性和低导通电阻特性，在电力电子领域展现出巨大优势。广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通及工业电源等领域，成为提高系统效率与可靠性的关键组件。本页面汇集了3883份精选资源，涵盖最新技术文献、设计案例与应用指南，是每一位致力于前沿技术研发的工程师不可或缺的学习宝库。探索碳化硅器件的无限可能，开启您的创新之旅！

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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和...

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大功率器件

半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对...

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半导体 gan sic

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