VMOS功率场效应晶体管及其应用 225页 3.2M.pdf
器件数据手册专辑 120册 2.15GVMOS功率场效应晶体管及其应用 225页 3.2M.pdf...
碳化硅功率器件技术资料
📦 资源总数：5885
📄 技术文档：1
💻 源代码：3898
碳化硅功率器件凭借其卓越的高温稳定性、高电压耐受能力和低导通电阻特性，在新能源汽车、光伏逆变器及工业电源等领域展现出巨大应用潜力。探索我们的5885个精选资源，涵盖从基础理论到最新技术进展的全面内容，助力您深入了解SiC MOSFETs和二极管的工作原理及其在高效能转换系统中的实际应用案例。加入我们，共同推动下一代电力电子技术的发展！
🔥 碳化硅功率器件热门资料
查看全部5885个资源 »功率放大器
里面包含多种功率放大器，有OCT和OTL功率放大器，主要器件有三极管和二极管等构成。...
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 ...
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对...
中大功率IGBT驱动及串并联特性应用研究
本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驱动电路原理和要求的基础上，对EXB841，M57962AL，2SD315A等几种驱动电路的工作特性进行了比较。并针对用于轻合金表面防护处理的特种脉冲电源主功率开关器件驱动电路运行中存在的问题对驱动电路提出了功能改进和扩展方案，进行了实验调试，并成功地应...
📄 碳化硅功率器件技术文档
查看更多 »💻 碳化硅功率器件源代码
查看更多 »📂 碳化硅功率器件资料分类