碳化硅电力电子器件的发展现状分析
SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业...
探索硅技术的无限可能,从基础半导体材料到先进集成电路设计。作为电子行业的基石,硅以其优异的电学性能和稳定性,在微处理器、传感器及太阳能电池板等领域发挥着不可或缺的作用。本页面汇集了178个精选资源,涵盖硅材料制备、器件制造工艺及最新应用案例分析,是每一位希望深入了解或从事硅基电子产品开发工程师的理想...
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介绍了一种利用MCS-51系列单片机控制的控制角可调整的三相全控桥可控硅整流触发器.采用锁相环技术实现触发脉冲与电源信号的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制可产生不同控制角的6组触发脉冲,且电路易于实现,...
利用硅烷法将ssDNA 固化T方向切割、3. 58MHz 和10MHz 石英晶体金电极上,构建了压电DNA传感器,建立了快速检测葡萄球菌肠毒素B(SEB) 基因的方法。优化了固定SEB 基因的条件,并
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发环境下利用./0123 技术,
研究了利用硅薄片为敏感元件的电容式加速度计,加速度计的悬臂梁与惯性质量块是一个整体结构,可以消除元件弹性连接的不完善性,而且极板间隙中空气相对介电常数εr 的高稳定性是这种电容式传感器的优点之
研究以MCS-96系列80C196KB单片机为基础,结合外围器件来实现对可控硅三相全控桥的触发控制.采用锁相环技术及过零触发的方法,实现触发脉冲与电源信号(线电压)的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制可产...
文章研究了用MCS-96系列80C196KB单片机为基础结合外围器件来实现对可控硅三相全控桥的触发控制.采用锁相环技术及过零触发的方法,实现触发脉冲与电源信号(线电压)的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制...
介绍了一种利用MCS-51系列单片机控制的控制角可调整的三相全控桥可控硅整流触发器.采用锁相环技术实现触发脉冲与电源信号的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制可产生不同控制角的6组触发脉冲,且电路易于实现,...