51LPC 微控制器以及三端双向可控硅简介
通过结合51LPC微控制器和BTA2xx三端双向可控硅Philips半导体使阻性和容性负载的控制更容易这个通用的一对所有控制解决方案覆盖了低功耗高感性的负载如螺线管阀门和同步电机到以主电压供电的高功耗阻性负载如电机和电热器这个两芯片解决方案...
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一个脉冲电源orcad设计原理图原始文件,输入12-16V,输出1200v脉冲,可调整脉冲频率。纯属研究使用,不得用于其它非法途径!
单晶硅SO I 高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度, 与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的SO I 结构。本
硅ESD(SESD)保护器件可以防止电路因静电放电(ESD)事件而受 损。0201规格SESD器件的尺寸极小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm), 比上一代器件的面积小了近70%,在空间受到限制的应用中为设计人 员提供了极大...
SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业...